STU7N65M6

作为ST意法半导体MDmesh M6产品系列的一员，STU7N65M6是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。该器件采用通孔I-PAK封装，为工程师在功率转换和开关应用中提供了坚固可靠的物理基础，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。

该MOSFET的功能特性围绕高效率与快速开关性能构建。650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌，而5A的连续漏极电流（Tc条件下）则提供了可观的电流处理能力。其关键优势在于MDmesh M6技术带来的低损耗特性，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值显著降低，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。

在电气参数方面，最大3.75V的栅极阈值电压（Vgs(th)）和仅6.9nC的低栅极电荷（Qg）是其突出亮点。较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，不仅简化了栅极驱动设计，更能实现极快的开关速度，从而有效降低开关损耗。同时，其输入电容（Ciss）也得到良好控制，有助于进一步提升高频开关性能。这些优异的开关特性使其非常适用于需要高频率操作的场景。用户可以通过官方ST代理获取完整的技术资料与设计支持。

基于其高性能参数组合，STU7N65M6的理想应用场景广泛覆盖中高功率领域。它常被用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、照明系统的电子镇流器和LED驱动、以及工业电机驱动和逆变器的辅助电源部分。其坚固的设计和60W（Tc）的功率耗散能力，也使其成为要求高可靠性和耐用性的离线式电源转换应用的优选解决方案。

• 型号:STU7N65M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• 想获取STU7N65M6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STU7N65M6是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Tc），为功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在MDmesh M6超结技术带来的低损耗特性上，具备较低的导通电阻和优异的开关性能。关键参数如最大3.75V的栅极阈值电压、仅6.9nC的栅极电荷以及220pF的输入电容，共同确保了快速、高效的开关操作，有助于提升系统整体能效和功率密度。