STPSC2H12D

STPSC2H12D是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管。该器件采用先进的宽带隙半导体材料碳化硅，构建了单芯片整流核心，其物理特性从根本上决定了其卓越的性能表现。与传统的硅基快恢复二极管相比，碳化硅材料带来了更高的临界击穿电场强度和更优异的热导率，这使得器件能够在更高的电压和温度下稳定工作，同时实现极低的开关损耗。

该二极管最显著的功能特点是其零反向恢复电荷（Qrr）和零反向恢复时间（trr）。由于肖特基势垒整流机制，在开关过程中没有少数载流子的存储与复合过程，从而彻底消除了反向恢复带来的开关损耗和电压尖峰。这一特性对于提升开关电源、逆变器等高频电路的效率至关重要。同时，它在高达1200V的反向电压下，仅需承受1.5V @ 2A的低正向压降（Vf），这直接降低了器件的导通损耗。其反向漏电流在1200V满额电压下也控制在极低的12A水平，确保了高温下的高可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品和技术支持。

在电气接口与参数方面，STPSC2H12D标称平均整流电流为2A，反向重复峰值电压达1200V，使其能够胜任中功率等级的应用。其结电容在0V偏压和1MHz测试条件下为190pF，较小的结电容进一步优化了高频开关性能。器件采用经典的TO-220AC通孔封装，属于ECOPACK2环保系列，便于安装在散热器上，为功率耗散提供了良好的热管理路径。这种封装形式坚固耐用，在工业环境中具有很高的适用性。

基于其高耐压、高效率和高频特性，STPSC2H12D非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的次级整流、光伏逆变器中的升压或续流二极管、不间断电源（UPS）以及各类工业电机驱动的辅助电源。在这些应用中，它能够有效降低系统整体损耗，提升效率，并允许使用更小的磁性元件和散热器，从而帮助设计者实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:STPSC2H12D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220AC
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARB 1200V 2A TO220AC
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:1200 V
• 电流 - 平均整流 (Io):2A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 2 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:12 A @ 1200 V
• 不同Vr、F 时电容:190pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-2
• 供应商器件封装:TO-220AC
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC2H12D是ST意法半导体推出的一款1200V、2A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC封装。该器件的核心优势在于利用碳化硅材料特性，实现了无反向恢复时间（trr=0ns）的开关性能，从根本上消除了传统硅二极管在关断时产生的反向恢复损耗和噪声，显著提升高频开关电路的效率与可靠性。

其电气参数表现优异，在2A额定电流下正向压降仅为1.5V，有助于降低导通损耗。同时，在1200V的高反向电压下，漏电流被控制在极低的12A水平，确保了高温工作下的稳定性。这些特性使其成为功率因数校正、开关电源、太阳能逆变器和工业驱动等中高功率、高频应用场景中提升系统能效和功率密度的理想选择。