STP7NK80ZFP

STP7NK80ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了高耐压与低导通电阻之间的出色平衡。其核心架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在800V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断能力，为开关电源等高压应用提供了可靠的半导体基础。

得益于SuperMESH技术的加持，该MOSFET展现出显著的功能优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、2.6A电流条件下典型值仅为1.8欧姆，这意味着在导通状态下的功率损耗被控制在较低水平，有助于提升整体系统的能效。同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为56nC，结合适中的输入电容（Ciss），使得开关过程中的驱动损耗得以降低，并允许使用更简洁的驱动电路来实现快速开关，这对于提高开关频率、减小磁性元件尺寸至关重要。其栅源电压（Vgs）最大可承受±30V，提供了良好的抗干扰裕度。

在接口与关键参数方面，STP7NK80ZFP采用标准的TO-220FP绝缘封装，这种通孔安装形式兼顾了散热性能与电气绝缘需求，其最大功率耗散能力在管壳温度（Tc）下可达30W。器件在25°C壳温下的连续漏极电流（Id）额定值为5.2A，并支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，确保了在严苛环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取原装正品，以保证设计的一致性与长期可靠性。

该MOSFET典型的应用场景集中于需要高效、高压开关的领域。它非常适用于离线式开关模式电源（SMPS）的初级侧开关，如反激式、正激式变换器，尤其在适配器、LED驱动电源和辅助电源中表现优异。此外，在电子镇流器、功率因数校正（PFC）预调节器以及工业电机控制等对电压应力和开关效率有较高要求的场合，STP7NK80ZFP凭借其800V耐压和优化的动态参数，能够有效简化电路设计，提升功率密度和系统可靠性。

• 型号:STP7NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP7NK80ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心特性包括高达800V的漏源击穿电压（Vdss）以及在10V栅极驱动下仅1.8欧姆的低导通电阻（Rds(on)），这使其在导通状态下能有效降低功耗，提升能效。

器件在25°C壳温下可支持5.2A的连续漏极电流，并采用TO-220FP绝缘封装，便于散热和安装。其栅极电荷（Qg）低至56nC，有助于实现快速的开关切换并减少驱动损耗，适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境条件下的稳定性和耐用性。