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VNS3NV04D13TR的图片

VNS3NV04D13TR

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:供应商器件封装:8-SO
优势价格,VNS3NV04D13TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS3NV04D13TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNS3NV04D13TR是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower技术平台开发的智能功率开关器件,隶属于OMNIFET II系列。该器件采用单片集成设计,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合在一个紧凑的8引脚SO封装内,实现了高集成度与高可靠性。其核心是一个N沟道垂直功率MOSFET,采用低端开关配置,专门用于在恶劣的电气环境下安全、高效地驱动阻性、感性和容性负载,例如灯泡、继电器、螺线管和小型电机。

该器件的一个显著特点是其极低的导通电阻,典型值仅为120毫欧,这直接转化为较低的传导损耗和更高的系统效率,尤其是在处理高达3.5A的连续输出电流时。其输入控制采用非反相逻辑,便于与微控制器或逻辑电路直接接口,简化了系统设计。内部集成的保护功能是其关键优势,虽然原始参数未详细列出,但基于OMNIFET II系列典型特性,通常包含过载保护、短路保护、热关断以及感性负载关断时的钳位功能,确保在异常工况下器件和负载的安全。其宽泛的工作温度范围(-40°C至150°C)使其能够适应汽车电子、工业控制等对环境要求苛刻的应用场景。

在接口与参数方面,VNS3NV04D13TR提供了两个独立的输出通道,每个通道都能独立处理3.5A的负载电流。其表面贴装型(SMD)的8-SO封装符合现代电子装配的自动化生产要求,采用剪切带(CT)包装便于贴片机操作。尽管该器件目前已处于停产状态,但在许多现有设备和备件市场中仍有需求,通过专业的ST芯片代理渠道,工程师仍可获得可靠的技术支持和供应链服务,以维护和升级相关系统。

得益于其坚固的设计和内置保护,该芯片非常适合应用于需要高可靠性和强驱动能力的领域。在汽车电子中,它常用于驱动车身控制模块(BCM)中的各种负载,如车窗升降器、座椅调节电机、照明灯组;在工业自动化领域,可用于可编程逻辑控制器(PLC)的数字输出模块,直接驱动小型执行机构或指示装置。其将功率开关与智能保护合二为一的特性,有效减少了外部元件数量,简化了PCB布局,降低了整体系统成本和复杂度,是设计紧凑型、高可靠性功率驱动解决方案的理想选择。

  • 制造商产品型号:VNS3NV04D13TR
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:剪切带(CT)
  • 系列:OMNIFET II, VIPower
  • 零件状态:停产
  • 开关类型:-
  • 输出数:2
  • 比率-输入:输出:-
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:-
  • 接口:-
  • 电压-负载:-
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):-
  • 电流-输出(最大值):3.5A
  • 导通电阻(典型值):120 毫欧
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SO
  • 想获取VNS3NV04D13TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS3NV04D13TR是ST意法半导体推出的一款双通道、低端配置的智能功率开关IC,属于OMNIFET II和VIPower产品系列。该器件采用8-SO表面贴装封装,集成了功率MOSFET与驱动保护电路,专为驱动高电流负载而设计。

其核心参数包括每通道高达3.5A的输出电流能力,以及仅为120毫欧(典型值)的低导通电阻,这确保了高效的功率传输和较低的热损耗。器件支持-40°C至150°C的宽工作温度范围,适用于环境严苛的汽车与工业应用。尽管目前已停产,但其高集成度与内置保护特性使其在需要可靠负载驱动的设计中仍具参考价值。

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