STF140N8F7

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STF140N8F7是一款采用N沟道设计的功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET VII产品系列，并应用了DeepGATE技术。该器件采用TO-220FP封装，为通孔安装方式，旨在为高效率、高功率密度的应用提供卓越的开关性能与热管理能力。其核心架构通过优化单元密度和沟槽栅极设计，在降低导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_g）之间取得了出色的平衡，这对于提升整体系统效率至关重要。

该MOSFET的关键特性在于其优异的电气参数。它具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达64A（在壳温T_C=25°C条件下）的连续漏极电流能力，展现出强大的功率处理潜力。尤为突出的是，在10V栅极驱动电压（V_GS）和32A漏极电流条件下，其导通电阻典型值低至4.3毫欧，这一极低的R_DS(on)直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为96nC @ 10V，结合6340pF @ 40V的输入电容（C_iss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于在高频开关电路中工作。

在接口与参数方面，STF140N8F7的标准栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，最大栅源电压为±20V，提供了可靠的驱动安全裕度。其最大功耗为35W（T_C），宽广的结温工作范围（-55°C至175°C）确保了其在苛刻环境下的稳定性和鲁棒性。用户可通过官方授权的ST代理获取详细的技术资料、样品及采购支持。

基于上述特性，该器件非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它常被设计用于开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、以及各类DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）。其高性能表现使其成为工业自动化、电动工具、不间断电源（UPS）和高效能计算电源等领域的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标在同类产品中仍具有重要参考价值。

• 型号:STF140N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STF140N8F7是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装。该器件隶属于先进的STripFET VII系列，集成了DeepGATE技术，核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合。

其关键参数包括80V的漏源电压（Vdss）和64A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V驱动电压下，导通电阻（RdsOn）典型值低至4.3毫欧@32A，栅极电荷（Qg）最大值仅为96nC，这共同确保了极低的导通损耗和高效的开关性能，有助于提升整体电源系统的效率。器件结温工作范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的环境。