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VNS7NV04TR-E

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,VNS7NV04TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNS7NV04TR-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VNS7NV04TR-E是意法半导体(STMicroelectronics)基于其先进的VIPower M0-7技术平台开发的一款单通道智能高端开关。该器件隶属于OMNIFET II系列,采用单片集成设计,将功率N沟道垂直MOSFET与完整的控制和保护电路整合在同一个硅片上。这种架构消除了对外部供电(Vcc/Vdd)的需求,简化了系统设计,同时通过内置的电荷泵确保了栅极在低输入电压下的完全驱动,从而实现极低的导通电阻(典型值60毫欧)和高效的功率切换能力。

作为一款功能完整的负载驱动器,其核心功能是通过一个简单的开/关逻辑输入信号,直接控制连接在电源与负载之间的功率开关。输入接口采用非反相设计,兼容3.3V和5V逻辑电平,便于与微控制器直接连接。该器件提供了全面的内置故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压钳位。当输出电流超过预设限值或结温超过安全阈值时,器件会自动关断以保护自身和负载;输入过压时,内部钳位电路会限制栅极电压,防止器件损坏。这些保护功能都是自动且自主运行的,无需外部元件或处理器干预,极大地提升了系统的鲁棒性和可靠性。

在电气参数方面,VNS7NV04TR-E设计用于最高36V的负载电压环境,能够持续输出高达6A的电流,其低导通电阻特性确保了在满载情况下的功率损耗最小化。器件采用表面贴装型8-SO封装,以卷带(TR)形式供货,适合自动化生产。其宽广的工作结温范围(-40°C 至 150°C)使其能够应对严苛的工业与汽车环境挑战。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过授权的ST代理商获取该产品的库存、数据手册及设计支持。

凭借其集成化、高可靠性和易用性,这款器件非常适合作为各种电阻性、感性和容性负载的理想驱动解决方案。其典型应用场景包括汽车车身控制模块(如驱动座椅加热器、车窗升降电机、灯组)、工业自动化中的电磁阀与继电器驱动、以及电源分配系统中的智能开关。尽管其零件状态标注为停产,但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要价值,工程师在为新项目选型时,可参考其设计理念,并咨询代理商以获取替代型号的建议。

  • 型号:VNS7NV04TR-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:36V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):6A
  • 导通电阻(典型值):60 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154\\
  • 想获取VNS7NV04TR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNS7NV04TR-E是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道、低端配置的N沟道智能功率开关。它采用先进的VIPower技术单片集成,无需外部供电电压(Vcc/Vdd),仅通过一个开/关逻辑输入即可控制高达6A的负载电流,极大简化了电路设计。

该器件的核心优势在于其高达36V的负载电压耐受能力仅60毫欧(典型值)的低导通电阻,确保了高效的电能传输与最低的热损耗。同时,它集成了完备的自主保护功能,包括固定限流、过温关断和过压钳位,为驱动电机、灯组、电磁阀等负载提供了高可靠性的保护。其工作结温范围覆盖-40°C至150°C,采用8-SO表面贴装封装,适用于要求苛刻的汽车与工业环境。

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