VNV35N0713TR

VNV35N0713TR是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款高性能、高集成度N沟道智能功率开关。该器件隶属于OMNIFET系列，采用先进的单片集成工艺，将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合在一个紧凑的封装内，实现了传统分立方案难以企及的可靠性、设计简洁性与空间利用率。

该芯片的核心是一个额定电压高达55V、持续输出电流能力达25A的N沟道功率MOSFET，其典型导通电阻仅为28毫欧，这一低导通特性显著降低了功率路径上的传导损耗，提升了系统整体能效，尤其适用于大电流开关应用。其采用低端开关配置，通过一个简单的开/关非反相逻辑电平信号即可实现高效控制，无需外部提供独立的Vcc/Vdd供电电压，这极大地简化了外围电路设计，降低了物料成本和PCB面积占用。

在接口与控制方面，VNV35N0713TR提供了直接、可靠的数字接口。其坚固性不仅体现在电气参数上，更在于其内置的多重故障保护机制。芯片集成了固定阈值限流保护、过温关断以及过压钳位保护，能够有效应对负载短路、异常过流、热失控及电压浪涌等严苛工况，为负载和系统自身提供了高水平的防护，增强了应用的鲁棒性。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理进行采购与咨询。

得益于其强大的驱动能力、卓越的效率和全面的保护功能，这款器件非常适合作为通用型负载驱动器或配电开关，广泛应用于汽车电子领域，如驱动继电器、电磁阀、灯泡、电机等感性或阻性负载；在工业自动化中，可用于PLC输出模块、电机控制预驱动；同时也常见于电源管理系统的热插拔与电源路径控制等场景。其采用10-PowerSO表面贴装封装，并以卷带（TR）形式供货，便于自动化生产。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代方案或生命周期管理策略。

• 型号:VNV35N0713TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:55V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:25A
• 导通电阻（典型值）:28 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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VNV35N0713TR是ST意法半导体推出的一款集成式智能高端开关，属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件将功率开关、驱动及保护功能单片集成，提供了一个简洁高效的负载驱动解决方案。

其核心是一个55V/25A的N沟道MOSFET，具备低至28毫欧的典型导通电阻，能有效降低导通损耗。器件通过单一开/关信号控制，无需外部Vcc供电，极大简化了设计。内置的固定限流、过温和过压保护功能确保了在恶劣工况下的高可靠性，适用于需要稳健驱动能力的汽车与工业应用。