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VNV49N0413TR的图片

VNV49N0413TR

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集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
原厂封装:封装:10-PowerSO
优势价格,VNV49N0413TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VNV49N0413TR的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为ST意法半导体OMNIFET与VIPower系列中的一员,VNV49N0413TR是一款高度集成的单通道、低端N沟道功率开关。该器件采用先进的垂直智能功率技术,将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合于单一封装之内,其核心优势在于无需外部Vcc或Vdd电源即可直接由逻辑电平信号进行驱动,极大地简化了系统设计。

该芯片具备出色的负载驱动能力,其连续输出电流最高可达28A,而典型的导通电阻低至40毫欧,这有效降低了导通状态下的功率损耗和温升,提升了整体能效。其开关类型为通用型,采用非反相输入逻辑,通过简单的开/关接口即可实现精准的负载通断控制,输出配置为低端,适用于广泛的接地负载切换场景。对于需要可靠货源和技术支持的客户,可以通过正规的ST代理商进行采购与咨询。

在可靠性方面,VNV49N0413TR集成了多重故障保护机制,包括固定阈值的限流保护、过温关断以及过压保护。这些内置的保护功能能够在负载短路、异常过热或电压浪涌等恶劣条件下自动动作,有效保护后级负载与开关自身的安全,增强了系统的鲁棒性。其坚固的设计支持从-40°C到150°C的宽结温范围工作,确保了在严苛工业环境下的稳定运行。

该器件采用10-PowerSO表面贴装封装,并以卷带形式供货,适合自动化贴装生产。其高达33V的最大负载电压额定值,结合强大的电流处理能力和完善的保护特性,使其成为汽车电子系统中驱动继电器、灯泡、电机等感性或阻性负载的理想选择,同时也广泛应用于工业自动化、电源分配管理和智能负载控制等需要对大功率路径进行安全、高效开关的领域。

  • 型号:VNV49N0413TR
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:10-PowerSO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 配电开关,负载驱动器
  • 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率 - 输入:1:1
  • 输出配置:低端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压 - 负载:33V(最大)
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
  • 电流 - 输出(最大值):28A
  • 导通电阻(典型值):40 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:-
  • 故障保护:限流(固定),超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:10-PowerSO
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 想获取VNV49N0413TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VNV49N0413TR是ST意法半导体推出的一款单通道低端智能功率开关,隶属于OMNIFET和VIPower产品系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET及其驱动电路,采用1:1的输入输出比率和简单的开/关接口进行控制,无需外部供电电压,显著简化了设计。

其核心参数表现出色,支持最大33V的负载电压和高达28A的连续输出电流,同时具备低至40毫欧的典型导通电阻,有效优化了功率损耗。器件内置了限流、过温和过压保护,确保了在-40°C至150°C结温范围内的可靠运行,适用于要求严苛的汽车与工业负载驱动应用。

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