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STD1NK60T4
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STD1NK60T4技术资料
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STD1NK60T4
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
原厂封装:
DPAK
优势价格,STD1NK60T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STD1NK60T4的技术资料下载
STD1NK60T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STD1NK60T4
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:SuperMESH
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):10nC @ 10V
Vgs(最大值):±30V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):156pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):30W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK
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