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    STGD10NC60SDT4的图片

    STGD10NC60SDT4

    ST图标
    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    制造厂商：ST(意法半导体)
    功能简述：IGBT 600V 18A 60W DPAK
    原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    优势价格，STGD10NC60SDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    STGD10NC60SDT4的技术资料下载
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    STGD10NC60SDT4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
  • 制造商产品型号：STGD10NC60SDT4
  • 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
  • 描述：IGBT 600V 18A 60W DPAK
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：PowerMESH?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：18A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：25A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.65V @ 15V，5A
  • 功率-最大值：60W
  • 开关能量：60μJ（开），340μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：18nC
  • 25°C时Td（开/关）值：19ns/160ns
  • 测试条件：390V，5A，10欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：22ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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