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STGWA60V60DF
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STGWA60V60DF技术资料
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STGWA60V60DF
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商:
ST(意法半导体)
功能简述:
IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
原厂封装:
TO-247-3
优势价格,STGWA60V60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STGWA60V60DF的技术资料下载
STGWA60V60DF的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供
制造商产品型号:STGWA60V60DF
制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
描述:IGBT BIPO 600V 60A TO247-3
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:有源
IGBT类型:沟槽型场截止
电压-集射极击穿(最大值):600V
电流-集电极(Ic)(最大值):80A
电流-集电极脉冲(Icm):240A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 15V,60A
功率-最大值:375W
开关能量:750μJ(开),550μJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:334nC
25°C时Td(开/关)值:60ns/208ns
测试条件:400V,60A,4.7 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):74ns
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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