STH270N8F7-2

STH270N8F7-2是ST意法半导体基于其先进的STripFET VII技术平台与DeepGATE工艺开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构设计，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的卓越平衡，这一核心架构使其在开关性能与导通损耗方面表现突出，尤其适用于高频、高效率的功率转换场景。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压、90A电流条件下，R_DS(on)典型值仅为2.1毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_G）被精心优化，在10V条件下最大值为193nC，结合较低的输入电容（C_iss），确保了快速、干净的开关切换，有效降低了开关损耗并简化了栅极驱动电路的设计难度。其高达180A的连续漏极电流（T_C）与80V的漏源击穿电压（V_DSS），提供了宽裕的功率处理能力和安全裕度。

在电气参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（V_GS）耐受范围达±20V，增强了驱动级的可靠性。其导通阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，有助于防止误触发。器件采用表面贴装型HPAK封装，这种封装具有优异的散热性能和较低的封装寄生电感，能够支持高达315W（T_C）的功率耗散，工作结温范围宽至-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和深度技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的重要途径。

凭借其高性能指标，STH270N8F7-2非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的同步整流和初级侧开关、大电流DC-DC转换模块、电机驱动与控制系统（如伺服驱动、电动工具）、以及新能源领域中的光伏逆变器和车载充电机（OBC）等。它是工程师在构建高效、紧凑、可靠的功率电子解决方案时的理想功率开关选择。

• 型号:STH270N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:193 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13600 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），变体
• 想获取STH270N8F7-2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STH270N8F7-2是ST意法半导体推出的一款采用HPAK封装的N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件基于DeepGATE技术，在80V的漏源电压（V_DSS）下，能够持续处理高达180A（T_C）的电流，展现出强大的功率处理能力。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V V_GS、90A条件下，R_DS(on)最大值仅为2.1mΩ，可显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（Q_G@10V最大193nC）与输入电容特性，确保了快速开关性能，有助于提升系统效率并降低电磁干扰（EMI）。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和大电流DC-DC变换等应用的理想选择。