STL140N4F7AG

STL140N4F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的AEC-Q101车规级N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET技术系列。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计平衡了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）这两个关键参数，从而在降低功率损耗的同时，也保证了在高频开关应用中的效率与可靠性，这对于现代汽车电子和高效电源系统至关重要。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，适用于常见的12V或24V车载电源环境。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）高达120A，展现出强大的电流处理能力。尤为关键的是，其导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压、16A电流条件下典型值仅为2.5毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的导通压降和发热量，提升了系统整体能效。同时，其总栅极电荷（Q_G）在10V条件下最大值为29nC，结合适中的输入电容，有助于降低栅极驱动损耗并实现快速的开关切换，简化了驱动电路的设计。

在封装与可靠性方面，STL140N4F7AG采用了专为高功率密度设计的表面贴装型PowerFlat（5x6）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能和紧凑的占板面积，还确保了在严苛环境下的机械稳定性。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车应用对极端温度耐受性的要求。最大功率耗散为111W（Tc），确保了器件在持续高负载下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能与高可靠性，STL140N4F7AG非常适合于对效率和空间有严格要求的应用场景。其主要应用领域包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器（尤其是同步整流侧）、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业电源和服务器电源中的功率开关。在这些应用中，其低导通电阻和高电流能力有助于减少能量损失，而其车规级认证则为系统提供了长期稳定运行的质量保障。

• 型号:STL140N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:111W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL140N4F7AG是ST意法半导体基于STripFET技术开发的一款车规级（AEC-Q101）N沟道功率MOSFET。该器件在40V漏源电压（Vdss）下，可提供高达120A（Tc）的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值仅为2.5毫欧（@10V， 16A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。

此外，器件具备29nC（@10V）的低栅极电荷和2300pF的输入电容，有利于实现高效的开关操作并降低驱动损耗。其采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，优化了散热与空间占用，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛的汽车电子环境中的高可靠性与稳定性。