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STS1NK60Z
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STS1NK60Z技术资料
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STS1NK60Z
单端场效应管
制造厂商：
意法半导体(STMicroelectronics)
功能简述：
MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，STS1NK60Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
STS1NK60Z的技术资料下载
STS1NK60Z的功能参数资料 - 意法半导体(ST)提供
ST意法半导体标准完整型号：STS1NK60Z
制造厂家名称：STMicroelectronics
描述：MOSFET N-CH 600V 250MA 8-SOIC
系列：SuperMESH?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：250mA（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：94pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
ST公司封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ST出厂封装：8-SO
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