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STTH1R02Q的图片

STTH1R02Q

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分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:DIODE STANDARD 200V 1.5A DO15
原厂封装:封装:DO-15
优势价格,STTH1R02Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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STTH1R02Q的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

STTH1R02Q是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款通用快速恢复整流二极管,采用经典的DO-15轴向封装。该器件基于优化的硅半导体工艺制造,其核心架构旨在实现高效率与快速开关性能的平衡。内部PN结经过特殊设计,在保证高反向耐压的同时,有效控制了结电容与载流子寿命,这为其出色的反向恢复特性奠定了物理基础。

该二极管的功能特点鲜明,其200V的最大反向重复电压1.5A的平均正向整流电流能力,使其能够胜任多种中压、中小电流的整流应用。在1.5A的额定电流下,其正向压降典型值仅为1V,这有助于降低导通损耗,提升系统整体能效。更为关键的是,它属于快速恢复二极管,其反向恢复时间(trr)典型值低至30纳秒。这一特性显著减少了二极管在开关过程中从导通到关断的延迟以及伴随的反向恢复电流峰值,对于降低开关噪声、减少电磁干扰(EMI)以及提升高频开关电源的效率至关重要。

在电气参数方面,除了优异的开关速度,STTH1R02Q在200V反向电压下的反向漏电流典型值仅为3A,体现了其良好的反向阻断特性与高温下的稳定性。其通孔形式的DO-15封装成熟可靠,具有良好的机械强度和散热能力,便于在传统PCB板上进行安装与焊接。对于需要可靠元器件供应与技术支持的设计项目,可以咨询专业的ST芯片代理以获取更详细的产品资料与供应链支持。

基于上述技术特性,该器件非常适合应用于对效率和开关频率有要求的场景。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的次级整流、续流二极管,以及高频逆变器、功率因数校正(PFC)电路、电机驱动电路中的缓冲和钳位环节。其快速恢复特性使其在反激式、正激式等拓扑中能有效工作,帮助减少开关损耗并提升电源密度,是工业控制、消费电子、照明驱动等领域中一款高性价比的功率半导体解决方案。

  • 型号:STTH1R02Q
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-15
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE STANDARD 200V 1.5A DO15
  • 系列:-
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 技术:标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):1.5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 1.5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):30 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 200 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AC,DO-15,轴向
  • 供应商器件封装:DO-15
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 想获取STTH1R02Q的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STTH1R02Q是ST意法半导体生产的一款轴向封装通用快速恢复整流二极管。该器件核心规格包括200V的最大反向耐压和1.5A的平均整流电流,能够在1.5A电流下实现仅1V的低正向压降,有助于优化导通损耗。

其关键优势在于快速的开关性能,反向恢复时间低至30ns,这使其能有效应用于高频开关场景,减少开关噪声和损耗。同时,在200V反向电压下,其漏电流仅为3A,确保了良好的反向阻断能力。采用标准的DO-15通孔封装,为各种功率整流和续流应用提供了可靠且高效的解决方案。

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