STB21N90K5

STB21N90K5是ST意法半导体基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心设计通过精细的单元结构和创新的工艺技术，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了优异的开关性能和坚固性，为高功率密度应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压（V_DSS），能够有效应对工业及电力电子系统中常见的电压应力和尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达18.5A，配合仅299mΩ（典型条件下）的低导通电阻，确保了在导通状态下的功率损耗被控制在极低水平。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（V_GS）可承受±30V，提供了较强的抗干扰能力。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值较低，约为43nC @ 10V，这有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，提升系统整体效率。

在电气参数方面，该器件在宽温度范围（-55°C至150°C结温）内保持稳定工作，最大功率耗散能力为250W（壳温条件下）。其采用表面贴装型的D2PAK封装，该封装具有良好的热性能和功率处理能力，便于在PCB上进行自动化装配并实现有效的散热管理。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借高耐压、大电流能力和优异的开关特性，STB21N90K5非常适用于要求苛刻的功率转换场景。其典型应用包括工业开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和高压DC-DC变换器、UPS（不间断电源）系统的功率级、电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及电焊机和光伏逆变器等新能源设备。在这些应用中，它能够有效提升系统能效、功率密度和可靠性。

• 型号:STB21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB21N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心特性包括高达900V的漏源电压（V_DSS）和18.5A的连续漏极电流（I_D）承载能力。

其关键优势在于极低的导通电阻（R_DS(on)），在标准驱动条件下典型值仅为299mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Q_g）参数有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗。器件采用坚固的D2PAK表面贴装封装，支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，为高功率密度和高可靠性的电源与电机控制应用提供了理想的解决方案。