STS15N4LLF5

STS15N4LLF5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-SO表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟道设计，在保持快速开关特性的同时，显著降低了导通电阻，从而有效减少了传导损耗和热耗散。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压、7.5A漏极电流条件下，最大值仅为6.7毫欧。这一低导通电阻直接转化为更高的系统效率和更低的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12.9nC（@4.5V），结合1570pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±16V，提供了稳健的驱动容限。

在电气参数方面，STS15N4LLF5具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和15A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够承受一定的功率和电流应力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值低至1V，便于与低电压逻辑电路或微控制器直接接口，简化了驱动电路设计。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取相关服务与产品信息。

凭借其平衡的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和空间均有要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器中的同步整流和开关管、电机驱动电路（如小型有刷直流电机或步进电机）、负载开关以及电池保护电路。在这些应用中，其低导通电阻和良好的开关特性有助于提升整体能效，延长电池续航时间，并减少散热需求。

• 型号:STS15N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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STS15N4LLF5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET V技术和8-SO表面贴装封装。该器件核心优势在于其优异的低导通电阻与开关特性平衡，其Rds(on)最大值低至6.7毫欧（@10V，7.5A），同时栅极电荷（Qg）最大值仅为12.9nC，这有助于在应用中实现高效率与低功耗。

该MOSFET额定参数为漏源电压40V，连续漏极电流15A，并具备较低的栅极阈值电压（Vgs(th) max 1V），便于驱动。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了在多种环境条件下的稳定运行。这些特性使其成为空间受限的功率管理解决方案，如DC-DC转换、电机控制和负载开关等应用的理想选择。