SCTH35N65G2V-7AG

SCTH35N65G2V-7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用H2PAK-7表面贴装封装，专为满足汽车级AEC-Q101标准的严苛要求而设计，确保了在恶劣环境下的高可靠性与长寿命。其核心在于采用了第三代SiCFET技术，相比传统硅基MOSFET，碳化硅材料带来了更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场和更优异的热导率，这从根本上提升了器件的开关性能与高温工作能力。

得益于SiC材料的固有优势，该器件展现出卓越的电气特性。其650V的漏源击穿电压（Vdss）为工业及汽车应用中的高压母线提供了充足的裕量。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）高达45A，配合仅67毫欧（@20A, 20V）的最大导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其栅极驱动设计兼容性强，标准18V至20V的驱动电压便于与主流驱动器对接，而最大73nC的栅极电荷（Qg）和1370pF的输入电容（Ciss）则意味着更低的开关损耗和更快的开关频率潜力，这对于提升功率密度至关重要。

在接口与参数层面，SCTH35N65G2V-7AG的栅极电压（Vgs）支持+22V至-10V的范围，提供了可靠的导通与关断保障。其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散为208W（Tc），结合H2PAK-7封装优异的散热性能，使其能够应对高功率密度应用中的热管理挑战。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

该芯片典型的应用场景包括电动汽车的车载充电机（OBC）、直流-直流转换器（DC-DC）以及电机驱动单元，其高频高效特性能有效减小磁性元件的体积和重量。此外，在工业领域，如服务器电源、通信电源、光伏逆变器和不同断电源（UPS）等对效率、功率密度和可靠性要求极高的场合，SCTH35N65G2V-7AG也能发挥关键作用，助力实现系统的小型化与能效提升。

• 型号:SCTH35N65G2V-7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• 想获取SCTH35N65G2V-7AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SCTH35N65G2V-7AG是ST意法半导体符合AEC-Q101标准的汽车级碳化硅（SiCFET）功率MOSFET。该器件采用H2PAK-7封装，核心优势在于其650V的漏源电压和45A的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点包括低至67毫欧的导通电阻和仅73nC的栅极电荷，这共同确保了极低的导通与开关损耗，能够显著提升系统效率并支持更高的工作频率。宽达-55°C至175°C的结温工作范围与208W的功率耗散能力，则保证了其在汽车及工业严苛环境下的卓越可靠性与散热性能。