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BZW50-15B的图片

BZW50-15B

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-15B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-15B的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-15B是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件采用成熟的硅基雪崩击穿技术,其核心架构基于一个双向、单通道的PN结设计,能够对正负两个方向的瞬态过电压进行有效箝位。这种对称保护特性使其无需区分输入信号的极性,简化了电路设计,尤其适用于交流线路或可能存在反向电压冲击的直流应用场景。

该器件的关键功能在于其卓越的浪涌吸收能力。其标称反向关断电压为15V,最小击穿电压为16.6V,能够在极短时间内响应并动作。当遭遇高能量瞬态脉冲时,如符合8/20s波形的1.714kA峰值脉冲电流,器件能迅速从高阻态切换到低阻态,将威胁性电压箝位在最高35V的水平,从而保护后端精密电路。其峰值脉冲功率处理能力高达5kW,这得益于优化的芯片面积和封装热设计,确保了在单次或重复性浪涌事件中的可靠性与耐久性。对于寻求稳定可靠保护方案的工程师而言,通过专业的ST芯片代理获取原装正品是保障设计性能的重要一环。

在电气参数方面,BZW50-15B展现了平衡的性能指标。其反向漏电流在正常工作电压下极低,有助于降低系统待机功耗。需要注意的是,器件在1MHz频率下的结电容典型值为6750pF,这一特性决定了其在高速数据线路(如USB、以太网)上的应用会受到限制,更适合用于电源端口、继电器线圈、电机驱动等对信号频率要求不高的场合进行浪涌防护。其通孔轴向封装(R-6)提供了稳固的机械连接和良好的散热路径,便于在PCB上焊接并承受高能量冲击。

基于其通用型的设计定位和强大的浪涌抑制能力,BZW50-15B广泛应用于工业控制、汽车电子、家用电器及通信基础设施的电源输入保护。它常被部署在AC-DC转换器的初级侧、直流电源端口、开关电源的输入端,用以抵御由雷击感应、负载切换、静电放电(ESD)等引起的瞬态过电压。其15V的关断电压使其非常适合保护工作电压在12V或5V逻辑电平附近的电路系统,为整个电子设备构筑起一道坚固的初级防线。

  • 型号:BZW50-15B
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 15VWM 35VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态(典型值):15V
  • 电压 - 击穿(最小值):16.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):35V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1714A(1.714kA)(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:6750pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-15B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-15B是ST意法半导体生产的一款双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于TRANSIL系列。该器件设计用于为各类电子设备提供高效的过电压保护。

其核心特性包括15V的反向关断电压,以及高达5kW的峰值脉冲功率处理能力。在承受1.714kA(8/20s)的大电流浪涌时,它能将电压箝位在35V以下,从而有效保护后级敏感电路。其轴向通孔封装(R-6)确保了安装的稳固性和散热效能,适用于电源端口等需要高可靠性浪涌防护的通用型应用场景。

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