STW120NF10

作为ST意法半导体STripFET II系列中的一员，STW120NF10是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在硅片上实现了高密度的晶体管阵列，从而在给定的芯片面积内获得了优异的导通电阻与电流处理能力平衡。该器件采用坚固的TO-247-3通孔封装，为功率耗散提供了高效的散热路径，确保在严苛环境下稳定工作。

这款MOSFET的突出特性在于其卓越的导通性能与开关效率。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值极低，最大值仅为10.5毫欧（在60A，10V条件下测得），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在233nC（@10V），有助于降低开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计，实现更快的开关速度。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达110A，最大功率耗散为312W，展现出强大的功率处理能力。

在电气参数方面，STW120NF10的栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V（@250A），确保了良好的噪声免疫性和可靠的关断特性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，为驱动设计提供了灵活性。输入电容（Ciss）最大值为5200pF（@25V），与其他参数共同决定了器件的动态特性。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应工业级和汽车级应用的环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其高电流容量、低导通电阻和稳健的封装，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场合。典型应用包括工业电机驱动、开关模式电源（SMPS）的初级或次级侧整流与同步整流、不间断电源（UPS）系统中的功率转换模块，以及电动工具、逆变器和DC-DC转换器等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减少热管理负担，并增强整体可靠性。

• 型号:STW120NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW120NF10的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW120NF10是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心优势在于其极低的导通电阻（最大值10.5mΩ @ 10V, 60A）与高达110A（Tc）的连续漏极电流处理能力，这使其在导通状态下的功率损耗显著降低。

其100V的漏源电压额定值结合优化的栅极电荷（最大值233nC @ 10V），确保了高效的开关性能和快速的动态响应。该MOSFET设计用于在-55°C至175°C的宽结温范围内可靠工作，最大功率耗散达312W（Tc），非常适合要求高功率密度和高可靠性的应用场景。