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VN750PEP-E的图片

VN750PEP-E

ST图标
电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
原厂封装:供应商器件封装:PowerSSO-12
优势价格,VN750PEP-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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VN750PEP-E的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

VN750PEP-E是ST意法半导体基于其成熟的VIPower技术平台开发的一款单通道高端智能功率开关。该器件采用先进的BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺制造,将功率级、控制逻辑和保护电路高度集成于单一芯片内。其核心是一个N沟道垂直功率MOSFET,作为开关元件,由内置的电荷泵电路驱动,确保在宽输入电压范围内实现高效、可靠的栅极控制。这种架构使得器件无需外部Vcc/Vdd供电电压,简化了系统设计。

该器件设计用于直接由微控制器或逻辑信号(开/关接口)进行控制,输入为非反相,逻辑电平兼容。其关键特性包括极低的导通电阻,典型值仅为60毫欧,这有助于在高达6A的连续输出电流下最大限度地减少传导损耗和温升,提升整体能效。内置的全面故障保护机制是其突出优势,集成了固定阈值限流、开路负载检测、超温和过压保护。当检测到故障时,器件会进入保护状态,并在故障条件消除后执行自动重启,提高了系统的鲁棒性和可用性。此外,器件还提供了一个状态标志(Status Flag)输出引脚,能够向主控制器报告开关状态(如正常、过载、过热或开路),实现系统级的诊断与监控。

在电气参数方面,VN750PEP-E支持宽范围的负载电压,从5.5V至36V,使其能够灵活应用于12V或24V的汽车及工业电源总线。其结温工作范围宽达-40°C至150°C,符合严苛环境的应用要求。器件采用PowerSSO-12封装,这是一种专为高功率密度和优异散热性能优化的表面贴装型封装,便于在空间受限的PCB布局中实现高效的热管理。用户可以通过正规的ST代理商获取该产品的技术支持和供应保障。

凭借其高集成度、强大的驱动与保护能力,该芯片非常适合作为各种阻性、感性和容性负载的理想驱动器。其主要应用场景包括汽车电子系统中的继电器、电磁阀、灯泡、电机等执行器的驱动,以及工业自动化中的PLC输出模块、电源时序控制、热插拔管理和配电开关。在需要对负载进行安全、智能开关控制的场合,它提供了一种高度可靠且节省空间的解决方案。

  • 制造商产品型号:VN750PEP-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC PWR DRVR N-CHAN 1:1 PWRSSO12
  • 产品系列:电源管理IC - 配电开关,负载驱动器
  • 包装:管件
  • 系列:VIPower
  • 零件状态:不用於新
  • 开关类型:通用
  • 输出数:1
  • 比率-输入:输出:1:1
  • 输出配置:高端
  • 输出类型:N 通道
  • 接口:开/关
  • 电压-负载:5.5V ~ 36V
  • 电压-供电(Vcc/Vdd):不需要
  • 电流-输出(最大值):6A
  • 导通电阻(典型值):60 毫欧(最大)
  • 输入类型:非反相
  • 特性:自动重启,状态标志
  • 故障保护:限流(固定),开路负载检测,超温,过压
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PowerSSO-12
  • 想获取VN750PEP-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

VN750PEP-E是ST意法半导体推出的一款单通道高端智能功率开关,隶属于VIPower产品系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET、驱动电路及全面的保护功能于PowerSSO-12封装内,无需外部供电电压即可工作。

其核心卖点在于支持5.5V至36V的宽负载电压范围,并能提供高达6A的连续输出电流,同时凭借仅60毫欧(最大)的低导通电阻确保高效运行。器件内置了限流、开路负载检测、超温和过压保护,并具备故障后自动重启功能,通过状态标志引脚实现系统诊断,显著提升了应用的可靠性与安全性。

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