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1.5KE33A的图片

1.5KE33A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,1.5KE33A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1.5KE33A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

1.5KE33A是ST意法半导体(STMicroelectronics)旗下1.5KE系列TRANSIL瞬态电压抑制(TVS)二极管中的一款代表性产品,采用经典的齐纳(Zener)工作原理构建其核心保护机制。该器件设计用于在极短时间内(纳秒级)响应并吸收来自电源线、信号线或数据线上的异常高压瞬态脉冲,例如由雷击感应、感性负载切换或静电放电(ESD)引起的浪涌,通过雪崩击穿效应将过电压箝位在一个安全的水平,从而为后端精密电路提供可靠的保护屏障。

该TVS二极管具备单向导通特性,仅对一个方向的过压瞬态进行箝位,适用于直流或具有明确极性要求的电路保护场景。其核心性能参数十分突出,标称反向断态电压为28.2V,最小击穿电压为31.4V,能够在承受高达169A(8/20s波形)的峰值脉冲电流时,将箝位电压有效限制在最大值59V以内。这一特性得益于其高达1500W(1.5kW)的峰值脉冲功率处理能力,使其能够耗散巨大的瞬时能量,确保在严苛的浪涌环境下自身不被损坏。其封装形式为通孔安装的DO-201AA(DO-27,轴向),便于在PCB板上进行可靠的焊接和安装。

在接口与参数方面,除了优异的箝位性能,ST代理商通常会强调其在1MHz测试频率下的结电容典型值为2700pF。这一参数对于高速数据线路的保护选型至关重要,需要工程师根据被保护线路的信号频率权衡保护性能与信号完整性。器件被归类为“通用”应用,工作温度范围未作特殊限定,表明其适用于广泛的工业和消费电子环境。其“有源”的零件状态也保证了供应的长期稳定性。

基于其强大的瞬态能量吸收和电压箝位能力,1.5KE33A非常适合部署在需要 robust 保护的各类电子系统中。典型应用场景包括但不限于:交流/直流电源输入端的次级保护、车载电子设备的负载突降(Load Dump)保护、工业控制设备的I/O端口防护、通信设备接口(如RS-232/485)的浪涌抑制,以及任何使用28V左右工作电压的敏感电路的过压保护。工程师在选型时,应确保电路的正常工作电压低于器件的反向断态电压,同时被保护电路能承受其最大箝位电压,以实现最优的保护效果。

  • 型号:1.5KE33A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 28.2VWM 45.7VC DO201
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):28.2V
  • 电压 - 击穿(最小值):31.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):45.7V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):33A
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:是
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:2700pF @ 1MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
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1.5KE33A是ST意法半导体推出的一款大功率瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其知名的1.5KE系列。该器件采用齐纳原理和单向通道设计,核心功能是在纳秒级时间内响应并吸收高达1500W(1.5kW)的峰值脉冲功率,从而将危险的过电压瞬态箝位至安全范围。

其关键参数定义了强大的保护能力:在28.2V的反向断态电压下,当遭遇峰值脉冲电流高达169A(8/20s)的浪涌冲击时,能确保箝位电压不超过59V。高达2700pF @ 1MHz的结电容表明其更适合用于对信号速率要求不苛刻的电源或低频线路保护。该器件采用通孔式DO-201AA轴向封装,为各类通用电子设备的电源端口和I/O接口提供了可靠、高效的过压保护解决方案。

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