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1.5KE68A

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 58.1VWM 121VC DO201
原厂封装:封装:DO-201
优势价格,1.5KE68A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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1.5KE68A的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

1.5KE68A是ST意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的DO-201AA(DO-27)轴向封装,为通孔安装提供了便利。该器件基于成熟的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构,其单向通道设计专门用于抑制正向的浪涌电压尖峰,通过将异常高压快速钳位至安全水平,从而为后级精密电路提供可靠的过压保护屏障。

该器件的关键性能体现在其强大的浪涌能量吸收能力上,其峰值脉冲功率高达1500W(1.5kW),在标准的10/1000s测试波形下能承受高达83A的峰值脉冲电流。其电压特性经过精心设计,反向关断电压(典型值)为58.1V,确保在正常电路工作电压下呈现高阻态,对系统影响极小;而当遭遇瞬态冲击时,其击穿电压最小值低至64.6V,并能在承受大电流冲击时将钳位电压最大值有效控制在121V,这种快速响应与精确钳位的特性是其核心优势。对于寻求可靠ST芯片解决方案的工程师,通过专业的ST芯片代理可以获得完整的技术支持与供应链保障。

在电气参数方面,1.5KE68A在1MHz频率下的典型结电容为1550pF,这一特性使其适用于对信号完整性有一定容忍度的直流电源线路或中低频信号线的保护,而不太适合直接用于高速数据线。其“通用”的应用分类和“有源”的产品状态,表明了它在工业控制、汽车电子、电源适配器、通信设备等广泛领域中的适用性和长期供货稳定性。它不具备特定的电源线路(如Mains)保护认证,因此更侧重于板级电路的二次保护和元件级防护。

综合来看,这款TVS二极管非常适合用于保护工作电压在48V或以下等级的电路系统,例如通信设备的48V供电线路、工业控制系统的24V传感器接口、或汽车12V/24V电气系统中的敏感模块。其高功率处理能力和稳健的轴向封装,使其成为应对雷击感应、感性负载切换、静电放电(ESD)等常见瞬态威胁的经济高效解决方案,为提升电子系统的可靠性与鲁棒性提供了关键的一环。

  • 型号:1.5KE68A
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:DO-201
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 58.1VWM 121VC DO201
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):58.1V
  • 电压 - 击穿(最小值):64.6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):121V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):83A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:1500W(1.5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1550pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-201AA,DO-27,轴向
  • 供应商器件封装:DO-201
  • 想获取1.5KE68A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

1.5KE68A是ST意法半导体生产的一款1500W峰值脉冲功率的瞬态电压抑制(TVS)二极管,属于其TRANSIL产品系列。该器件采用单向齐纳型设计,轴向DO-201AA封装,专为需要高效过压保护的通用型应用而开发。

其核心电气参数定义了强大的保护性能:典型反向关断电压为58.1V,确保在正常工况下低泄漏;最小击穿电压为64.6V,提供快速的保护启动;在承受高达83A(8/20s)的浪涌电流时,能将电压最大值钳位于121V,有效保护后级电路。1550pF @ 1MHz的结电容使其适用于直流电源及中低频信号线路的浪涌防护。

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