1N5822

1N5822是ST意法半导体推出的一款采用肖特基势垒技术的单整流二极管。其核心架构基于金属-半导体结原理，相较于传统PN结二极管，该结构消除了少数载流子的存储效应，从而实现了极低的正向压降和极快的开关速度。这种设计使得器件在导通时能量损耗显著降低，同时在高频开关状态下能够保持优异的性能稳定性，为高效率电源转换提供了坚实的物理基础。

该器件的功能特点突出体现在其电气性能上。其最大反向电压为40V，平均整流电流高达3A，能够满足中等功率等级的应用需求。尤为关键的是，在3A的额定电流下，其典型正向压降仅为525mV，这一数值远低于同电流等级的普通快恢复二极管，直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。其开关特性属于快速恢复类型，恢复时间短于500ns，这对于抑制开关噪声、提升系统效率至关重要。反向漏电流在40V反向电压下典型值为2mA，确保了在关断状态下良好的隔离性能。

在接口与物理参数方面，1N5822采用经典的DO-201AD轴向封装，这是一种通孔安装形式，具有良好的机械强度和散热能力，便于在PCB板上进行可靠的焊接和安装。其供应商器件封装同样为DO-201AD，确保了物料来源的标准化和一致性。用户可通过正规的ST授权代理渠道获取原装正品，以保证产品的长期可靠性和性能与数据手册完全一致。

基于上述技术特性，1N5822非常适合应用于对效率和频率有要求的场景。它常见于开关电源（SMPS）的次级整流、直流-直流（DC-DC）转换器的输出整流、极性保护以及低压大电流的整流电路中。例如，在计算机电源适配器、车载充电器、LED驱动电源以及各种便携式设备的电源模块中，利用其低正向压降和快速恢复的特性，可以有效提升整体电源的转换效率，减少散热设计压力，并改善系统的电磁兼容性（EMC）表现。

• 型号:1N5822
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-201AD
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD
• 系列:-
• 包装:剪切带（CT）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:40 V
• 电流 - 平均整流 (Io):3A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):525 mV @ 3 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:2 mA @ 40 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-201AD，轴向
• 供应商器件封装:DO-201AD
• 工作温度 - 结:150°C（最大）
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1N5822是ST意法半导体生产的一款3A、40V肖特基势垒整流二极管，采用DO-201AD轴向封装。其核心优势在于极低的正向导通压降，在3A额定电流下典型值仅为525mV，这能显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。

该器件具备快速恢复特性，恢复时间短于500ns，适用于高频开关电源的整流应用，有助于减少开关噪声并提高工作频率。其40V的反向耐压和3A的连续整流电流能力，使其成为中等功率、高效率电源设计的理想选择，广泛应用于DC-DC转换器、电源适配器及极性保护电路。