2N3440

2N3440是一款由ST意法半导体（STMicroelectronics）设计制造的NPN型双极性晶体管（BJT），采用经典的TO-39金属罐封装。其核心架构基于成熟的硅平面工艺，构建了高电压、中电流的功率处理能力。该器件内部集成了优化的发射极-基极-集电极结构，确保了在高达250V的集射极电压下仍能保持稳定的工作状态，同时其1A的集电极电流容量使其能够胜任多种中功率开关与放大任务。

该晶体管的功能特点突出体现在其高耐压与良好的直流特性上。250V的集射极击穿电压使其在离线式电源、电子镇流器以及高压信号切换等应用中具备显著优势。1A的连续集电极电流能力则提供了足够的驱动裕量。其饱和压降典型值较低，在特定条件下（如4mA基极电流驱动50mA集电极电流时）最大仅为500mV，这有助于降低导通状态下的功耗，提升整体效率。此外，其直流电流增益（hFE）在20mA、10V条件下最小值为40，提供了适中的电流放大能力，便于驱动电路的设计。

在接口与关键参数方面，2N3440采用标准的三引脚通孔安装（TO-39封装），具有良好的机械强度和散热性能。其最大功耗为1W，结合高达200°C的结温（TJ）额定值，赋予了器件在恶劣热环境下的工作鲁棒性。开关速度由15MHz的跃迁频率所表征，使其能够应对中低频的开关应用。低至50A的集电极截止电流则体现了其良好的关断特性。对于需要可靠供货与技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理渠道获取相关产品信息与库存服务。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和经过验证的性能使其在诸多传统和特定应用场景中仍有其价值。典型的应用领域包括工业控制系统中作为继电器或小功率电机的驱动开关、CRT显示器行输出电路中的高压开关、音频功率放大器的推动级，以及各种需要中高压、中电流处理的线性稳压或开关电源的辅助电路。其坚固的金属封装也使其适用于对可靠性要求较高的军用或工业级设备。

• 型号:2N3440
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-39
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 250V 1A TO-39
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:250 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:500mV @ 4mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:40 @ 20mA，10V
• 功率 - 最大值:1 W
• 频率 - 跃迁:15MHz
• 工作温度:200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐
• 供应商器件封装:TO-39
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2N3440是ST意法半导体推出的一款NPN型双极性晶体管，采用TO-39金属罐封装。其核心卖点在于高达250V的集射极击穿电压与1A的集电极电流容量，这使其成为处理中高压、中功率任务的可靠选择。

器件在20mA、10V条件下提供最小40倍的直流电流增益，并具备低至500mV的饱和压降（特定条件下），有助于优化导通损耗。其1W的最大功耗与200°C的最高结温确保了良好的热性能，而15MHz的跃迁频率则支持中低频开关应用。这款晶体管适用于需要高耐压开关或放大的各类电源、驱动及工业控制电路。