2STP535FP

2STP535FP是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管，采用经典的TO-220FP绝缘封装。该器件专为高电压、大电流的开关及线性放大应用而设计，其核心架构基于成熟的达林顿对管技术，将两个NPN晶体管以复合形式集成，从而在单颗器件上实现了极高的直流电流增益。这种设计有效降低了驱动级所需的基极电流，简化了前级控制电路，同时保持了优异的功率处理能力和可靠性。

在功能特性上，该晶体管展现出强大的性能组合。其集电极-发射极击穿电压高达180V，使其能够稳定工作在工业级AC-DC转换、电机驱动等存在高压瞬态的应用环境中。最大集电极电流达到8A，配合37W的最大功耗能力，确保了其在处理高功率负载时的稳健性。尤为突出的是其极高的直流电流增益（hFE），在3A电流和4V压降条件下最小值可达1000，这意味着极小的输入电流即可控制大的输出电流，显著提升了驱动效率。其饱和压降在8A电流下典型值仅为2.5V，有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统能效。对于需要可靠元器件供应的设计方，可以通过授权的ST芯片代理获取正品货源和技术支持。

该器件提供了优异的电气接口与热性能参数。其集电极截止电流极低，最大仅为50A，有助于降低关断状态下的功耗。TO-220FP封装不仅提供了通孔安装的机械稳固性，其绝缘特性还省去了安装时额外的绝缘垫片，简化了组装流程并改善了散热路径。结温（Tj）最高可承受150°C，宽泛的工作温度范围使其能够适应苛刻的工业环境。这些接口与参数特性共同构成了一个坚固、高效且易于使用的功率开关解决方案。

基于其高耐压、大电流、高增益和良好的热特性，2STP535FP非常适用于多种功率电子应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管或续流元件，也适用于半桥或全桥电机驱动电路、逆变器、电子镇流器以及各种继电器或电磁阀的驱动级。在音频放大器的功率输出级或线性稳压电源的调整管应用中，其高增益和良好的线性区特性也能发挥重要作用。这款晶体管是工程师在构建可靠、高效的中高功率电子系统时的一个经典选择。

• 型号:2STP535FP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 180V 8A TO-220FP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:180 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:2.5V @ 80mA，8A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:1000 @ 3A，4V
• 功率 - 最大值:37 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 供应商器件封装:TO-220FP
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2STP535FP是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-220FP绝缘封装。该器件核心卖点在于其180V的高集射极击穿电压和8A的最大集电极电流，能够胜任高压大电流的开关与控制任务。

其达林顿结构提供了极高的电流增益（hFE最小值1000 @ 3A, 4V），仅需微小基极电流即可驱动安培级负载，极大简化了前级驱动电路设计。同时，37W的最大功耗和150°C的最高结温确保了其在功率应用中的热可靠性与稳定性。