STF6NK70Z

STF6NK70Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高击穿电压的良好平衡。其内部架构旨在有效管理高电压下的电场分布，从而确保在700V的漏源电压（Vdss）下仍能保持稳定的阻断特性，同时将导通损耗控制在较低水平。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的开关性能与导通特性。在10V的标准驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，在2.5A电流条件下最大值仅为1.8欧姆，这直接转化为更高的能效和更低的导通态功率损耗。47nC（@10V）的较低栅极电荷（Qg）与930pF（@25V）的输入电容（Ciss）相结合，显著降低了开关过程中的驱动损耗，使得器件能够工作在更高的开关频率下，有助于缩小外围磁性元件的体积。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，并拥有±30V的宽泛栅源电压耐受范围，提供了稳健的驱动安全裕度。

在电气参数方面，STF6NK70Z标称连续漏极电流（Id）为5A（基于壳温Tc），最大功率耗散能力为30W（Tc）。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。器件采用TO-220FP通孔封装，这种封装形式在提供良好散热路径的同时，也兼顾了机械强度和便于手工焊接或安装的特性，用户可通过正规的ST一级代理获取原装正品以保证最终应用的可靠性。

凭借700V的高压耐受能力和高效的开关特性，这款器件非常适用于需要高压开关和功率转换的场合。典型的应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。尽管其零件状态已标注为停产，但对于许多现有设计的维护、备件供应或对成本极其敏感且不追求最新工艺的特定应用而言，它依然是一个经过市场长期验证的可靠选择。

• 型号:STF6NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 想获取STF6NK70Z的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STF6NK70Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心电气规格包括700V的漏源击穿电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值为1.8欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值47nC）和输入电容（Ciss，最大值930pF）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。