STU3N45K3

STU3N45K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻与高开关速度之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。该芯片集成于标准的I-PAK通孔封装内，为工程师提供了坚固可靠的物理接口和良好的散热路径。

得益于SuperMESH3技术，STU3N45K3展现出卓越的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达450V，能够从容应对反激式拓扑中常见的电压应力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值显著优化，最大值仅为3.8欧姆（测试条件为500mA, 10V），这直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。同时，器件的栅极总电荷（Qg）最大值控制在6nC（@10V），输入电容（Ciss）也保持在较低水平，这意味着驱动电路所需的能量更少，能够实现更快的开关频率和更简洁的栅极驱动设计，从而降低系统复杂性和成本。

在接口与参数方面，该MOSFET的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下额定为1.8A，最大允许栅源电压（Vgs）为±30V，提供了宽裕的安全设计余量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫能力和与主流控制器的兼容性。最大功率耗散能力为27W（Tc），结合I-PAK封装的热性能，使其能够在要求苛刻的环境中稳定工作。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取此产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STU3N45K3非常适用于中低功率的离线开关电源（SMPS）应用。它是反激式、正激式转换器中主开关或同步整流元件的理想选择，常见于AC-DC适配器、辅助电源、LED照明驱动以及家用电器中的功率控制模块。其稳健的性能和通孔封装形式也使其适用于对长期可靠性和散热有较高要求的工业控制领域，为设计工程师提供了一个高效、经济的功率开关解决方案。

• 型号:STU3N45K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:27W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU3N45K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，核心额定参数为450V漏源电压（Vdss）与1.8A连续漏极电流（Id），专为高效功率开关应用而设计。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.8欧姆，有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值6nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率并简化驱动电路设计。