VNN1NV0413TR

意法半导体（STMicroelectronics）推出的VNN1NV0413TR是一款基于其先进VIPower技术的单通道、低端N沟道智能功率开关。该器件隶属于OMNIFET II系列，采用单片集成设计，将功率MOSFET、驱动逻辑以及全面的保护电路整合在一个紧凑的SOT-223封装内。这种高度集成的架构简化了系统设计，无需外部供电（Vcc/Vdd），仅通过一个简单的开/关逻辑输入信号即可直接控制高达36V、1.7A的负载，实现了从微控制器低压逻辑域到负载高压功率域的高效、可靠接口。

作为一款“智能”开关，其核心价值在于内置的完备保护功能。器件具备固定阈值限流保护，可防止输出短路或过载对电路造成损害；集成的超温保护能在结温超过安全阈值时自动关断输出，并在温度恢复正常后自恢复，极大地提升了系统的鲁棒性。此外，它还提供了过压保护，增强了在恶劣电气环境下的生存能力。其非反相的逻辑输入接口易于使用，典型导通电阻低至250毫欧，确保了在导通状态下的低功耗和高效率。对于需要可靠货源和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

在电气参数方面，VNN1NV0413TR展现了宽泛的工作适应性。其负载端最高可承受36V电压，输出持续电流能力达1.7A，峰值电流能力更强，能够驱动继电器、灯泡、小型电机等各类感性、阻性负载。器件工作在-40°C至150°C的宽结温范围，符合工业级和汽车级应用对温度稳定性的严苛要求。表面贴装的SOT-223封装形式兼顾了功率耗散能力与PCB空间占用，适合高密度板卡设计。

凭借其集成化、高可靠性和易用性，该芯片非常适合应用于需要安全、可靠控制功率负载的场合。典型应用包括汽车车身控制模块中的驱动单元（如车窗升降器、雨刷电机、车灯控制）、工业自动化中的电磁阀与小型执行器控制、以及办公设备或家电中的功率管理模块。它为工程师提供了一种“即插即用”的负载驱动解决方案，显著减少了外围元件数量，降低了设计复杂性和整体系统成本。

• 型号:VNN1NV0413TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 配电开关，负载驱动器
• 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 开关类型:通用
• 输出数:1
• 比率 - 输入:1：1
• 输出配置:低端
• 输出类型:N 通道
• 接口:开/关
• 电压 - 负载:36V（最大）
• 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):不需要
• 电流 - 输出（最大值）:1.7A
• 导通电阻（典型值）:250 毫欧（最大）
• 输入类型:非反相
• 特性:-
• 故障保护:限流（固定），超温，过压
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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VNN1NV0413TR是ST意法半导体OMNIFET II系列中的一款单通道低端智能功率开关。该器件采用VIPower技术，单片集成了功率MOSFET、驱动及保护电路，无需外部Vcc供电，通过简单的开/关逻辑输入即可直接控制最大36V、1.7A的负载。

其核心卖点在于高集成度与内置的全面保护机制，包括固定限流、超温关断及过压保护，确保了驱动过程的可靠性与安全性。器件具有低至250毫欧的典型导通电阻，采用SOT-223表面贴装封装，工作结温范围宽达-40°C至150°C，适用于要求苛刻的工业与汽车电子环境。