STW8N90K5

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW8N90K5是一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-247-3通孔封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构基于意法半导体成熟的MDmesh技术，该技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡。这种设计显著降低了导通损耗和开关损耗，是提升系统整体能效的关键。

该MOSFET具备900V的高漏源击穿电压（V_DSS），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压尖峰和应力，确保了系统在恶劣工况下的长期可靠性。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为8A，最大功率耗散可达130W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，与主流控制器兼容，同时栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为5V @ 100A，提供了良好的噪声抑制能力。此外，其栅源电压耐受范围高达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在接口与参数方面，TO-247-3封装提供了优异的导热路径，便于安装散热器以应对高功率场景。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境温度要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理商获取该产品及相关设计资源。这些特性共同构成了一个高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

基于其高耐压、低损耗和强健的封装特性，STW8N90K5非常适合于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）以及电焊机等高性能功率电子设备。在这些应用中，它能够有效提升功率密度和系统效率，同时降低电磁干扰（EMI），是工程师设计下一代高效能、高可靠性电源产品的理想选择。

• 型号:STW8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW8N90K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW8N90K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值，结合8A的连续漏极电流（I_D）处理能力，为高压应用提供了坚实的保障。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化平衡，最大功率耗散为130W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行与高可靠性。这款MOSFET是设计高效、紧凑型高压电源和电机驱动系统的关键组件。