STB5N52K3

STB5N52K3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH3技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过创新的单元设计和工艺改进，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的出色平衡。这种核心架构使得器件能够在高电压下高效工作，同时显著降低开关损耗，为功率转换应用提供了优异的性能基础。

该MOSFET的突出特性在于其525V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰，确保系统的可靠性与鲁棒性。在导通特性方面，其在10V驱动电压、2.2A电流条件下的导通电阻典型值仅为1.5欧姆，配合最大仅17nC的低栅极电荷（Qg @ 10V），共同决定了其卓越的开关效率。较低的Qg意味着驱动电路负担更轻，开关速度更快，有助于提升整体系统的频率和功率密度。

在电气参数与封装接口上，STB5N52K3在25°C壳温（Tc）下可连续通过4.4A的漏极电流，最大功耗为70W。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力，而±30V的最大栅源电压则提供了宽裕的驱动安全裕度。器件采用坚固的D2PAK（TO-263）表面贴装封装，这种封装具有良好的散热能力和功率处理能力，便于在PCB上进行自动化焊接，适用于高功率密度的设计。用户可以通过授权的ST代理商获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于高耐压、低导通与开关损耗的特性组合，STB5N52K3非常适用于离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及低功率电机驱动和逆变器等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升能源转换效率，减小散热器尺寸，从而帮助设计者实现更紧凑、更高效的电源与功率控制系统解决方案。

• 型号:STB5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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STB5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用D2PAK封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，以及1.5欧姆的低导通电阻（Rds(on)）与17nC的低栅极电荷（Qg）的优异组合。

这些参数共同确保了器件在高电压开关应用中具备出色的效率与可靠性。其4.4A的连续漏极电流能力和70W的功率耗散，使其能够胜任中等功率等级的电源转换与电机控制任务，适用于对能效和空间有严格要求的工业与消费类电子设计。