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TSV358IDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSV358IDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSV358IDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

TSV358IDT是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款双通道通用运算放大器,隶属于通过AEC-Q100认证的汽车级产品系列。该器件采用先进的CMOS工艺制造,其核心架构旨在提供稳定的性能与高度的可靠性。每个放大器通道都集成了高精度的输入级和强大的满摆幅输出级,能够在单电源供电下处理从地电位到接近电源电压的输入和输出信号,这使其非常适合在低电压系统中直接处理传感器信号或驱动后续电路,无需额外的电平移位电路。

该运算放大器具备多项突出的功能特性。其宽泛的2.5V至6V单电源工作电压范围,赋予了设计者极大的灵活性,使其既能兼容传统的5V逻辑系统,也能适应新兴的3.3V甚至更低的电池供电应用。低至500A(典型值)的静态电流使其成为对功耗敏感应用的理想选择,有助于延长便携式设备的电池寿命。同时,高达80mA的输出电流能力使其能够直接驱动诸如小型继电器、LED阵列或作为其他功率器件的缓冲级,减少了外部元件数量。对于需要稳定信号调理的应用,其200V的低输入失调电压和70nA的低输入偏置电流有助于维持系统的精度,而1.4MHz的增益带宽积和0.6V/s的压摆率则确保了在音频范围和中频信号处理中有足够的响应速度。

在接口与参数方面,TSV358IDT提供了标准的运算放大器引脚配置,采用节省空间的8引脚SOIC封装,便于表面贴装生产。其工作温度范围覆盖-40°C至125°C的工业及汽车级标准,确保了在严苛环境下的稳定运行。通过专业的ST芯片代理,客户可以获得完整的技术支持、样品申请和可靠的供应链服务。该芯片的满摆幅输入输出特性,结合其低功耗和宽压工作能力,构成了其核心的竞争力。

基于上述技术特点,TSV358IDT的应用场景十分广泛。在汽车电子领域,它可用于传感器信号调理(如温度、压力传感器)、车身控制模块以及信息娱乐系统的低功耗音频前端。在工业控制中,适用于过程控制仪表、数据采集系统的模拟前端以及低功耗的环路控制。此外,在消费电子领域,如便携式医疗设备、电池供电的物联网传感器节点、手持式仪表等场景中,其低电压、低功耗的特性能够显著提升产品的整体能效和续航能力。

  • 型号:TSV358IDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:标准(通用)
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:0.6V/s
  • 增益带宽积:1.4 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:70 nA
  • 电压 - 输入补偿:200 V
  • 电流 - 供电:500A
  • 电流 - 输出/通道:80 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.5 V
  • 电压 - 跨度(最大值):6 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TSV358IDT是ST意法半导体生产的一款双通道、通用型CMOS运算放大器,采用8-SOIC封装。该器件属于通过AEC-Q100认证的汽车级系列,具备高可靠性,工作温度范围为-40°C至125°C。

其核心优势在于宽电源电压范围(2.5V至6V单电源)与极低的静态功耗(供电电流典型值500A)相结合,非常适合电池供电或低功耗系统。同时,它提供满摆幅输入与输出能力,在低电压下也能处理宽动态范围的信号,并具备高达80mA的输出驱动电流,可直接驱动多种负载。

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