STP75NF75

STP75NF75是ST意法半导体基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在硅片层面优化了元胞结构，实现了极低的单位面积导通电阻。这种架构的核心优势在于显著降低了传导损耗，同时通过优化的栅极设计，在开关速度和栅极电荷之间取得了良好平衡，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该MOSFET具备75V的漏源击穿电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id）承载能力，展现出优异的功率处理性能。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下典型值仅为11毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗和发热量，提升了系统整体能效。栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，确保了良好的噪声免疫能力和抗误触发特性。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值为160nC，结合3700pF的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量相对较低，有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗。

在封装与可靠性方面，STP75NF75采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热处理方案，其最大结温（Tj）高达175°C，允许在严苛的热环境下稳定工作。该器件支持±20V的栅源电压，为驱动电路设计提供了充足的裕量。其优异的性能参数组合，使其成为需要高电流处理能力和高效率的功率开关应用的理想选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供应链可靠的重要途径。

凭借其高电流、低导通电阻和稳健的封装特性，STP75NF75非常适用于DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源系统中的同步整流或主开关拓扑。它能够有效提升功率级的功率密度和转换效率，满足现代电子设备对高性能、高可靠性功率管理的需求。

• 型号:STP75NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP75NF75是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET II产品系列。该器件设计用于处理高功率应用，其核心参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流（Id）能力。

其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下最大值仅为11毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，160nC（最大值）的栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能。该MOSFET采用TO-220AB通孔封装，最大结温为175°C，确保了在 demanding 应用环境下的可靠性和散热能力。