BAR28

BAR28是ST意法半导体推出的一款轴向封装肖特基势垒二极管，采用经典的DO-35玻璃封装，以其紧凑的尺寸和可靠的性能，在特定的小信号处理与整流应用中占有一席之地。该器件基于金属-半导体结的肖特基势垒原理构建，其核心优势在于极低的正向导通压降和出色的开关速度。与传统的PN结二极管相比，其多数载流子导电机理从根本上消除了少数载流子的存储与复合延迟，使其在高频或快速开关电路中表现出色，有效减少了开关损耗和信号失真。

在功能特性上，BAR28在15mA直流电流下的典型正向压降仅为1V，这显著降低了其在低电压、小电流应用中的功耗。其反向耐压高达70V，为一般信号电平的隔离和钳位提供了充足的裕量。尤为突出的是其极低的反向漏电流，在50V反向电压下典型值仅为200nA，确保了电路在关断状态下的高阻特性，这对于高阻抗信号路径的完整性至关重要。此外，其结电容极小，在0V偏置、1MHz测试条件下典型值仅为2pF，这一特性使其对高频信号的旁路影响微乎其微，非常适合射频检波、信号混频或高速逻辑电路中的钳位保护等应用。

从接口与参数来看，该器件采用通孔轴向引线封装，便于在实验板或传统PCB上进行手工或波峰焊接安装。其额定平均整流电流为15mA，属于小信号二极管范畴，适用于处理微安至毫安级的电流。虽然该产品目前已处于停产状态，但对于一些既有设备的维护或特定设计方案的延续，通过专业的ST芯片代理渠道，工程师仍有可能获取库存或替代方案咨询。其参数组合包括70V反向电压、1V@15mA的正向压降、200nA级的漏电流以及皮法级的结电容共同定义了一个适用于高效率、快速响应的小信号处理场景的清晰技术轮廓。

在应用场景方面，BAR28典型应用于需要快速开关和低功耗的场合。例如，在通信设备的射频模块中，可用于小信号检波或混频器的非线性元件；在精密测量仪器中，作为输入保护或信号调理电路中的钳位二极管，防止过压冲击损坏后续敏感器件；此外，在早期的计算机主板或数字逻辑电路中，也常见其用于高速信号线的终端保护或电平转换。其设计平衡了速度、功耗与耐压，是工程师在构建高性能小信号通路时曾经常考虑的一个经典选择。

• 型号:BAR28
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SCHOTTKY 70V 15MA DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:肖特基
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:70 V
• 电流 - 平均整流 (Io):15mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1 V @ 15 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:200 nA @ 50 V
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 200°C
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BAR28是ST意法半导体生产的一款采用DO-35轴向封装的小信号肖特基二极管。其核心卖点在于结合了肖特基器件固有的高速开关特性与一系列优化的电气参数，适用于对效率和响应速度有要求的小电流电路。

该器件提供70V的最大直流反向耐压，并在15mA直流电流下仅产生1V的典型正向压降，有助于降低系统功耗。其反向漏电流在50V时低至200nA，且在0V偏置下的结电容仅为2pF，这些特性使其非常适合于高频信号处理、射频应用以及需要高阻抗隔离的精密电路中的钳位与保护功能。