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BD434

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS PNP 22V 4A SOT-32-3
原厂封装:封装:SOT-32-3
优势价格,BD434的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BD434的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BD434是一款由ST意法半导体设计生产的PNP型双极性功率晶体管(BJT),采用经典的TO-126-3(TO-225AA)通孔封装,以其稳健的功率处理能力和可靠的电气特性,在众多中功率开关与线性放大应用中建立了良好的声誉。其核心架构基于成熟的平面工艺技术,确保了器件在宽泛的工作条件下具备稳定的性能表现。

该器件设计用于处理高达4A的连续集电极电流,集电极-发射极击穿电压(VCEO)额定值为22V,使其能够胜任多种中等电压环境的电路需求。其关键特性之一在于优异的饱和压降表现,在集电极电流为2A、基极驱动电流为200mA的条件下,VCE(sat)典型值仅为500mV,这有效降低了导通状态下的功率损耗,提升了整体系统的能效。同时,器件在10mA集电极电流和5V集电极-发射极电压下,直流电流增益(hFE)最小值为40,提供了足够的电流放大能力,简化了驱动电路的设计。

在接口与参数方面,高达36W的集电极功耗(PC)额定值和高达150°C的结温(TJ)工作范围,赋予了其出色的热性能和功率处理鲁棒性。集电极截止电流(ICEO)最大为100A,体现了良好的关断特性。其过渡频率(fT)为3MHz,虽然不适用于高频射频领域,但对于音频放大、低频开关以及电机控制等应用而言已完全足够。用户可以通过正规的ST代理渠道获取该产品的技术资料与库存信息。

尽管该产品目前已处于停产状态,但其经典的设计和经过验证的可靠性,使其在存量设备和特定维修替换市场中依然具有应用价值。典型的应用场景包括音频功率放大器的输出级、线性稳压电源中的调整管、继电器或小型直流电机的驱动电路,以及需要PNP型晶体管作为中功率开关或缓冲器的各类工业与消费电子设备中。其通孔封装形式也便于在原型验证或对散热有要求的场合进行安装与测试。

  • 型号:BD434
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:SOT-32-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 22V 4A SOT-32-3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):22 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值:36 W
  • 频率 - 跃迁:3MHz
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3
  • 供应商器件封装:SOT-32-3
  • 想获取BD434的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BD434是ST意法半导体推出的一款PNP型功率双极性晶体管,采用TO-126-3通孔封装。其核心电气参数针对中功率应用进行了优化,具备4A的集电极电流处理能力和22V的集电极-发射极击穿电压,为电路设计提供了宽裕的安全裕度。

该器件的突出优势在于其高效率特性,在2A电流下饱和压降仅为500mV,显著降低了导通损耗。同时,最小40的直流电流增益确保了有效的信号放大,而36W的最大功耗和150°C的结温工作范围则保证了其在严苛环境下的稳定运行与散热能力。这些特性使其成为线性放大和中低速开关应用的可靠选择。

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