BUB941ZT

BUB941ZT是ST意法半导体推出的一款高性能NPN达林顿功率晶体管，采用经典的DPak（TO-263）表面贴装封装。该器件集成了两个双极型晶体管，构成了一个高增益、高电流的复合结构。这种达林顿架构显著提升了电流放大能力，使得在较小的基极驱动电流下即可控制较大的集电极负载电流，同时保持了良好的饱和压降特性。其内部结构经过优化，确保了在高压、大电流工作条件下的稳定性和可靠性，为功率开关和线性放大应用提供了坚实的硬件基础。

该晶体管的核心优势在于其强大的功率处理能力。高达350V的集射极击穿电压使其能够从容应对工业级AC-DC转换、电机驱动等场合的电压应力。15A的最大连续集电极电流与150W的最大功耗相结合，赋予了它驱动大功率负载的潜力。其饱和压降在10A集电极电流、250mA基极电流条件下典型值仅为1.8V，这意味着在导通状态下的功率损耗较低，有助于提升系统整体效率。此外，其直流电流增益（hFE）最小值高达300（测试条件：5A， 10V），这极大地降低了对前级驱动电路的电流输出要求，简化了驱动级设计。

在电气参数方面，BUB941ZT展现了全面的性能。其集电极截止电流最大值为100A，表明了良好的关断特性。最高结温（Tj）为175°C，提供了较宽的安全工作温度范围。DPak封装不仅提供了优异的散热性能，其表面贴装形式也符合现代自动化生产的需求。用户可通过ST中国代理获取详细的技术资料、样品支持与供货信息，以进行深入的评估与设计。

凭借其高压、大电流、高增益的特性，这款器件非常适合应用于要求苛刻的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的功率开关、半桥或全桥拓扑中的高边或低边开关、电机驱动控制器（如变频器、伺服驱动器）、电子镇流器以及大电流线性稳压电路。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在现有系统的维护、备件更换或特定长期供货项目中仍具有重要价值，工程师在设计新方案时需注意其生命周期状态并考虑替代型号。

• 型号:BUB941ZT
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 350V 15A D2PAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.8V @ 250mA，10A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:300 @ 5A，10V
• 功率 - 最大值:150 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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BUB941ZT是ST意法半导体生产的一款NPN达林顿功率晶体管，采用TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件设计用于高压、大电流的开关与放大应用，其集射极击穿电压高达350V，最大连续集电极电流为15A，能够处理高达150W的功率。

其达林顿结构提供了极高的电流增益，在5A集电极电流和10V集射极电压条件下，直流电流增益（hFE）最小值达到300，显著降低了对驱动电路的要求。同时，在10A集电极电流时，其饱和压降典型值仅为1.8V，有助于减少导通损耗，提升系统效率。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等功率控制领域的理想选择。