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BUL805

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 450V 5A TO-220
原厂封装:封装:TO-220
优势价格,BUL805的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUL805的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BUL805是ST意法半导体推出的一款高压大功率双极性晶体管(BJT),采用经典的TO-220-3通孔封装。该器件基于成熟的NPN硅基工艺构建,其核心设计旨在处理高达450V的集电极-发射极电压和5A的连续集电极电流,为高压开关和线性放大应用提供了一个坚固耐用的分立半导体解决方案。其内部架构优化了载流子传输路径,以在高压条件下实现有效的电流控制。

该晶体管的一个显著特性是其高达80W的最大功耗能力,结合150°C的最高结温,确保了在严苛环境下的可靠运行。800mV @ 600mA, 3A的低Vce饱和压降是其关键性能指标,这意味着在深度饱和状态下,器件本身的导通损耗较低,有助于提升整体系统的能效。其直流电流增益(hFE)在2A, 5V条件下最小值为10,提供了稳定的电流放大能力,适合驱动级或功率调节电路。此外,集电极截止电流被控制在250A以内,有助于降低待机功耗。

在接口与参数方面,BUL805的标准TO-220封装提供了优异的散热性能和便捷的机械安装方式,便于集成到散热器上。其电气参数组合包括450V的击穿电压、5A的电流处理能力以及宽泛的工作温度范围定义了一个明确的应用边界。对于需要此类特定规格的客户,可以通过专业的ST芯片代理获取详细的技术资料和库存信息。

这款器件典型的应用场景涵盖工业电源、电机控制驱动器、电子镇流器以及UPS(不间断电源)系统中的功率开关和线性稳压环节。其高压特性使其非常适合用于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、半桥或全桥拓扑结构,以及需要承受高反峰电压的感性负载驱动电路。尽管其零件状态已标注为停产,但在许多现有设备维护或特定长生命周期设计中,它仍然是一个被广泛认可和使用的经典功率晶体管型号。

  • 型号:BUL805
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):5 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):800mV @ 600mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):250A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220
  • 想获取BUL805的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BUL805是ST意法半导体生产的一款NPN型高压大功率双极性晶体管。该器件采用TO-220封装,核心参数包括450V的集射极击穿电压和5A的最大集电极电流,能够处理高达80W的功率,适用于要求高耐压和中高电流的功率控制场景。

其技术亮点在于较低的导通损耗,在600mA基极电流和3A集电极电流条件下,Vce饱和压降典型值仅为800mV。同时,器件在2A集电极电流和5V Vce电压下,提供最小值为10的直流电流增益(hFE),确保了驱动的有效性。这些特性使其在开关电源、电机驱动及功率放大电路中,能够提供稳定可靠的性能表现。

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