SCTH40N120G2V7AG

意法半导体推出的SCTH40N120G2V7AG是一款采用先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率开关器件。该器件基于成熟的SiCFET架构，通过将碳化硅材料的优异物理特性与优化的场效应晶体管设计相结合，实现了在高压、高频及高温工作条件下的卓越性能。其核心优势在于显著降低了传统硅基功率MOSFET在高电压开关过程中固有的导通损耗和开关损耗，为提升系统效率和功率密度提供了坚实的硬件基础。

该器件集成了多项旨在优化性能与可靠性的设计。高达650V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车应用中常见的母线电压波动，并提供充足的安全裕量。在导通特性方面，其在18V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至105毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通压降和导通损耗，有助于减少发热并提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为63nC，结合优化的内部栅极电阻，使得开关速度更快、开关损耗更低，特别适合高频开关应用。

在电气参数与接口方面，SCTH40N120G2V7AG在25°C壳温下可连续通过33A的漏极电流，最大功耗为250W，展现了强大的电流处理能力。其栅极驱动电压范围宽泛（-10V至+22V），为驱动电路设计提供了灵活性，并增强了抗干扰能力。该器件采用H2PAK-7表面贴装封装，这种封装具有优异的散热性能和较低的寄生电感，有助于将芯片结温的热阻降至最低，确保在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作。其设计符合AEC-Q101标准，满足汽车电子对可靠性的严苛要求，用户可通过ST授权代理获取完整的技术支持与供应链服务。

得益于其高性能与高可靠性，SCTH40N120G2V7AG非常适合应用于对效率、功率密度和温度稳定性要求极高的领域。在新能源汽车中，它是车载充电机（OBC）、直流-直流转换器（DC-DC）以及主驱动逆变器的理想选择。在工业领域，可广泛用于服务器及通信电源、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及各类电机驱动系统。其快速开关特性还有助于减小系统中无源器件的体积，为实现更紧凑、更高效的下一代电力电子解决方案提供了关键支持。

• 型号:SCTH40N120G2V7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• 想获取SCTH40N120G2V7AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

SCTH40N120G2V7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道SiCFET。该器件采用先进的碳化硅技术，具备650V的漏源电压和33A的连续漏极电流处理能力，专为要求高效率和可靠性的严苛应用而设计。

其核心电气特性包括在18V驱动下仅105毫欧的低导通电阻，以及低至63nC的栅极电荷，这共同确保了极低的导通损耗与开关损耗，显著提升系统能效。器件采用H2PAK-7封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，并优化了热性能，适用于高频、高温工作环境。