STI300N4F6

STI300N4F6是ST意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺平台开发的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，专为要求高效率和高功率密度的应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和沟槽栅极结构，在保持卓越开关性能的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了更低的传导损耗和开关损耗。

该器件的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压和80A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为2.2毫欧，这使其能够处理高达160A（Tc）的连续漏极电流，同时将功率耗散控制在最低水平，最大功率耗散能力达300W（Tc）。其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为240nC，结合13800pF的输入电容（Ciss），确保了快速、干净的开关转换，这对于高频开关应用至关重要。宽泛的栅源电压（Vgs）范围（±20V）和高达4V的栅极阈值电压（Vgs(th)）提供了稳健的驱动兼容性和抗干扰能力。

在电气参数方面，STI300N4F6具备40V的漏源击穿电压（Vdss），为设计提供了充足的安全裕量。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。这些优异的参数组合使其成为需要处理大电流、高效率转换的功率系统的理想选择。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的封装，STI300N4F6非常适合应用于对效率和功率密度有严格要求的场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器中的同步整流和高端/低端开关、工业电机驱动和机器人控制中的功率级、以及电动工具、不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS）中的功率开关。其设计旨在提升系统整体能效，减少散热需求，并提高功率密度。

• 型号:STI300N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 40V 160A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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STI300N4F6是ST意法半导体推出的一款采用I2PAK封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的STripFET VI和DeepGATE技术，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力的结合。

其关键参数包括40V的漏源电压（Vdss），在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至2.2毫欧（@80A），可支持高达160A（Tc）的连续漏极电流。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关性能。这些特性使其成为高效率电源转换和电机驱动应用的理想解决方案。