STS3P6F6

STS3P6F6是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的高性能P沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET VI产品系列，并采用了先进的DeepGATE技术，旨在优化功率转换效率和开关性能。其核心架构通过精密的沟槽栅极设计和优化的单元结构，实现了在紧凑封装内的高电流处理能力与低导通损耗的平衡，为设计工程师提供了高可靠性的功率开关解决方案。

该MOSFET的关键电气特性包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达3A的连续漏极电流（Id）。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至160毫欧（在1.5A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.4nC，结合340pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，使其非常适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动容限。

在热性能方面，STS3P6F6在管壳温度（Tc）下最大功率耗散为2.7W，其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的项目，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正宗性和获得完整技术资料的重要途径。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定存量或过渡性设计中仍具参考价值。

综合其参数表现，STS3P6F6非常适合应用于需要中低功率等级、高效率P沟道开关的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的负载开关、电源管理单元（PMU）的功率路径控制、电池供电设备的反向极性保护，以及电机驱动电路中的预驱动级。其表面贴装形式也契合了现代电子设备向小型化、高密度化发展的趋势。

• 型号:STS3P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 想获取STS3P6F6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STS3P6F6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，采用8-SOIC表面贴装封装。作为STripFET VI系列的一员，它集成了DeepGATE技术，提供了60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）处理能力。

器件的核心优势在于其优异的开关性能与低损耗特性。其在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）低至160毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大6.4nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态响应，适合高频开关应用。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。