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BULB39D-1

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 450V 4A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,BULB39D-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BULB39D-1的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BULB39D-1是ST意法半导体推出的一款高压、大电流NPN双极性功率晶体管,采用经典的DPAK(TO-263)表面贴装封装。该器件设计用于处理高达450V的集电极-发射极电压和4A的连续集电极电流,其核心架构基于成熟的平面工艺技术,在高压与电流处理能力之间实现了良好的平衡。其结构确保了在高压开关和线性放大应用中的稳定性和可靠性,尤其适合在需要承受高电压应力的环境中工作。

该晶体管的一个显著特点是其高达70W的功率耗散能力,结合150°C的最高结温,使其能够在高温环境下稳定运行,提升了系统的整体鲁棒性。在饱和状态下,当基极电流为500mA、集电极电流为2.5A时,其集电极-发射极饱和压降典型值仅为1.1V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升能效。尽管其直流电流增益(hFE)在特定条件下相对较低,但这通常通过适当的驱动电路设计来补偿,以满足高电压、大电流开关应用的需求。

在接口与关键参数方面,BULB39D-1提供了标准的TO-263-3封装,包含两个引线和一个用于散热和电气连接的接片,这种封装形式便于表面贴装(SMT)工艺,并能通过PCB铜箔实现有效的热管理。其集电极截止电流最大值为100A,表明了器件在关断状态下具有良好的漏电流特性。对于需要可靠元器件供应的设计,可以通过授权的ST代理商获取相关技术支持和库存信息。

这款器件主要面向工业电子和功率电子领域。其典型应用场景包括开关模式电源(SMPS)中的高压侧开关、电子镇流器、电机驱动控制电路以及AC-DC转换器中的功率调节部分。其高耐压和大电流特性使其非常适合处理离线式电源中的高压总线,例如在反激式或正激式拓扑结构中作为主开关管。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计在诸多现有设备和经典电源架构中仍有广泛的应用基础,是工程师在进行高压功率电路设计或维护时一个值得参考的成熟解决方案。

  • 型号:BULB39D-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 450V 4A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):4 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):450 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.1V @ 500mA,2.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):10 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值:70 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • 想获取BULB39D-1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BULB39D-1是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管,采用表面贴装型TO-263(DPAK)封装。该器件核心参数突出,具备450V的高集射极击穿电压4A的最大集电极电流处理能力,适用于高压大电流的开关与放大应用。

70W的最大功耗150°C的结温规格确保了在严苛热环境下的可靠运行。在饱和导通时,其Vce压降较低(1.1V @ 500mA, 2.5A),有助于减少导通损耗。这些特性使其成为工业电源、电机驱动及电子镇流器等高压功率电路的经典选择。

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