STL62P3LLH6

STL62P3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅工艺，在紧凑的芯片面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计目标是在30V的中低压应用领域，提供高电流处理能力和高效率的功率开关解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻（R_DS(on)），在10V驱动电压、7A测试条件下典型值仅为10.5毫欧，这直接转化为导通状态下更低的功率损耗和发热。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为33nC @ 4.5V，结合适中的输入电容，意味着器件在开关过程中所需的驱动能量较小，有助于简化驱动电路设计并提升系统的整体开关频率和效率。其栅源电压（V_GS）耐受范围达±20V，提供了良好的栅极可靠性裕度。

在电气参数方面，STL62P3LLH6的连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）条件下高达62A，最大功率耗散为100W，结温（T_J）最高可支持175°C，展现了其强大的电流处理与散热能力。其阈值电压（V_GS(th)）典型值较低，确保了在逻辑电平驱动下的良好导通特性。该器件采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和极低的封装寄生电感，非常适合高密度、高电流的PCB布局，用户可通过ST授权代理获取完整的规格书与技术支持。

凭借其高性能参数组合，该器件主要面向需要高效率功率管理和控制的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载点（POL）转换器中的同步整流或高端开关，以及电池供电设备（如电动工具、无人机）中的电源路径管理和电机驱动电路中的预驱动开关。其P沟道特性简化了高端驱动的设计，特别适用于在输入电压和逻辑控制共地情况下的开关应用。

• 型号:STL62P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL62P3LLH6的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL62P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能P沟道功率MOSFET，属于STripFET H6产品系列。该器件设计用于30V电压等级的应用，在壳温条件下可支持高达62A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（10.5mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（33nC @ 4.5V），有效降低了导通与开关损耗。

其PowerFlat（5x6）表面贴装封装提供了卓越的散热性能和低寄生参数，适用于高密度电路板设计。结合175°C的最高结温工作能力，使其成为中低压、大电流开关应用，如同步整流、电源路径管理和电机控制等场景中，追求高功率密度与高效率的可靠选择。