STFI13N60M2

STFI13N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻（R_DS(on)）与低栅极电荷（Q_g）的出色平衡。其核心在于第二代“超级结”（Super Junction）技术的增强，通过精密的单元结构和电荷平衡原理，显著降低了在高电压下的传导损耗和开关损耗，为高效能功率转换提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性体现在其600V的漏源击穿电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D）能力上，确保了在高压环境下的可靠阻断与电流承载。其导通电阻在典型工作条件下（5.5A， 10V V_GS）最大仅为380毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Q_g）低至17nC，结合580pF的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更少，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于提升开关频率，减少开关过程中的损耗。其栅源电压（V_GS）支持±25V，提供了良好的抗干扰能力。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过官方授权的ST代理渠道获取详细的技术支持与供应链信息。

在电气参数方面，该器件设计有宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），并能在25°C管壳温度下耗散高达25W的功率，展现了良好的热性能。其阈值电压V_GS(th)最大值为4V，提供了明确的导通与关断逻辑电平。器件采用I2PAKFP（也称为TO-281）通孔封装，这种封装形式具有优异的散热性能和机械强度，便于在需要高可靠性的功率板上进行安装与焊接。

凭借其高耐压、低损耗和快速开关的特性，STFI13N60M2非常适用于对效率和功率密度有较高要求的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器以及工业电机驱动等应用场景。它是构建高效、紧凑型AC-DC或DC-DC电源转换系统的关键组件之一，尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中仍具有重要参考价值。

• 型号:STFI13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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STFI13N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件采用先进的超级结技术，核心优势在于实现了高耐压与低损耗的优异结合，其漏源电压（V_dss）高达600V，连续漏极电流（I_d）可达11A，适用于高压功率处理场合。

其关键电气参数表现出色：导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为380毫欧（@5.5A， 10V），有效降低了导通状态下的功率损耗；同时，栅极电荷（Q_g）最大值低至17nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，从而提升整体系统效率。器件采用I2PAKFP（TO-281）通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。