BULB7216-1

BULB7216-1是ST意法半导体推出的一款高压、大电流NPN双极性晶体管（BJT），采用经典的IPAK（TO-262）封装。该器件专为需要高耐压和中等电流处理能力的功率开关及线性放大应用而设计，其核心架构基于成熟的平面工艺技术，确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。其内部结构优化了载流子传输路径，旨在降低饱和压降并提升开关速度，尽管其频率跃迁参数未明确标定，但其设计重点在于处理高电压而非高频信号。

该晶体管的核心特性在于其高达700V的集射极击穿电压与3A的连续集电极电流能力，这使其能够从容应对工业电源、电机控制等场合中常见的电压应力和电流负载。其饱和压降在典型工作条件下（Ic=800mA， Ib=80mA）最大仅为3V，这意味着在导通状态下的功率损耗相对较低，有助于提升整体系统的能效。同时，器件在高达2A集电极电流和5V集射极电压下，直流电流增益（hFE）最小值为4，这要求驱动电路提供足够的基极电流以确保晶体管完全导通，是设计驱动级时需要考虑的关键参数。

在接口与参数方面，BULB7216-1采用通孔安装的TO-262封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功耗可达80W。其集电极截止电流最大为100A，体现了在关断状态下良好的漏电控制能力。器件的工作结温（Tj）最高支持150°C，适应于环境温度较高的应用场景。需要指出的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存供应，用户可通过正规的ST一级代理渠道咨询库存或功能相近的升级型号。

其典型应用场景涵盖离线式开关电源（SMPS）中的开关元件、电子镇流器、UPS（不间断电源）系统以及交流电机驱动器的功率级。在这些应用中，器件的高耐压特性是应对电网电压波动和感性负载反峰电压的关键。尽管其已停产，但在许多现有设备和维修市场中，BULB7216-1所代表的高压、中功率BJT解决方案因其结构简单、驱动相对容易且成本效益高，在特定领域仍有一席之地。

• 型号:BULB7216-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:700 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3V @ 80mA，800mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:4 @ 2A，5V
• 功率 - 最大值:80 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
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BULB7216-1是ST意法半导体生产的一款NPN型双极性功率晶体管，采用TO-262（IPAK）封装。其核心电气参数定义了其在高压功率应用中的定位：集电极-发射极击穿电压高达700V，连续集电极电流处理能力为3A，最大功耗为80W。

该器件设计用于需要高耐压和中等电流开关的场合。其饱和压降典型值较低，有助于减少导通损耗。虽然该型号目前已停产，但其参数组合使其曾广泛应用于开关电源、电机驱动及功率调节等领域的功率开关级。