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BULB7216T4

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分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK
原厂封装:封装:D2PAK
优势价格,BULB7216T4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BULB7216T4的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BULB7216T4是ST意法半导体推出的一款高压NPN双极性功率晶体管(BJT),采用经典的DPAK(TO-263AB)表面贴装封装。该器件设计用于处理高达700V的集电极-发射极电压(VCE)和3A的连续集电极电流,其核心架构基于成熟的平面工艺技术,在高压与电流处理能力之间实现了稳健的平衡。其结构确保了在高压开关或线性放大应用中的可靠性和耐用性,结温(TJ)最高可达150°C,适用于要求苛刻的工业环境。

该晶体管的一个关键功能特点是其出色的高压阻断能力,结合了高达80W的功率耗散能力,使其能够在高电压、大电流的开关电路中作为核心开关元件或驱动器。其饱和压降(VCE(sat))在集电极电流为800mA、基极驱动电流为80mA时典型值仅为3V,这有助于降低导通状态下的功率损耗,提升系统整体效率。尽管其直流电流增益(hFE)在2A、5V条件下最小值为4,表明它需要足够的基极驱动电流才能完全饱和,但这恰恰使其在开关应用中具有快速响应和强驱动能力的特点,集电极截止电流低至100A也确保了良好的关断特性。

在接口与参数方面,器件采用三引脚(2引线+接片)DPAK封装,接片直接与集电极相连,这不仅提供了优异的机械稳固性,更重要的是为高功率耗散提供了高效的导热路径,便于安装在散热器上。其表面贴装形式(SMD)兼容自动化生产流程。用户在设计驱动电路时,需特别注意其电流增益特性,提供足够的基极电流以确保器件在饱和区工作,从而最小化导通损耗。对于需要可靠高压开关解决方案的客户,可以通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。

鉴于其700V的高耐压和3A的电流能力,BULB7216T4非常适合于离线式开关电源(SMPS)的初级侧开关、电子镇流器、电机控制驱动以及工业照明系统中的功率转换级。它能够在AC-DC转换器、UPS系统等应用中承担主开关或预调整器的角色。尽管该产品目前已处于停产状态,但其设计规格和可靠性在诸多现有设备和备件市场中依然具有重要参考价值,是高压、中功率离散开关解决方案的一个经典代表。

  • 型号:BULB7216T4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):700 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):3V @ 80mA,800mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100A
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):4 @ 2A,5V
  • 功率 - 最大值:80 W
  • 频率 - 跃迁:-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
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BULB7216T4是ST意法半导体生产的一款高压NPN双极性功率晶体管,采用TO-263AB(DPAK)表面贴装封装。其核心规格包括高达700V的集射极击穿电压和3A的连续集电极电流处理能力,最大功耗可达80W,结温最高支持150°C,适用于高耐压要求的功率电路。

该器件在800mA集电极电流下的饱和压降典型值为3V,有助于降低导通损耗。其直流电流增益(hFE)在2A、5V条件下最小为4,适合需要强驱动信号的开关应用。这些参数使其成为开关电源初级侧、电机驱动及工业功率控制等高压开关场景中的可靠选择。

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