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BZW50-150

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 150VWM 343VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-150的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-150的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

BZW50-150是意法半导体(STMicroelectronics)推出的TRANSIL系列单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用经典的齐纳二极管雪崩击穿原理构建其核心保护架构。该器件设计用于在纳秒级时间内响应并吸收来自电源线、数据线或信号线上的高能量瞬态过压脉冲,例如雷击感应浪涌、感性负载切换或静电放电(ESD)事件,从而为下游精密电子电路提供可靠的保护屏障。其核心工作机制是在正常工作电压下呈现高阻抗状态,对电路影响极小;一旦检测到超过其击穿电压的瞬态尖峰,则迅速切换到低阻抗的导通状态,将过电压钳位在一个安全的水平。

该器件的一个显著特点是其强大的浪涌处理能力,能够承受高达175A(8/20s波形)的峰值脉冲电流,对应的峰值脉冲功率达到5000W(5kW),这使其能够应对严苛的工业环境或户外设备中可能出现的强浪涌干扰。其反向断态工作电压(VRWM)为150V,最小击穿电压(VBR)为166V,确保了在150V及以下的正常系统电压下器件保持关断,不影响电路功能。在承受最大峰值脉冲电流时,其箝位电压(VC)最大值被严格限制在343V,这一特性对于保护工作电压较低的现代半导体元器件(如IC、MOSFET等)至关重要,可以有效防止被保护器件因过压而损坏。

BZW50-150采用标准的轴向引线R-6封装,便于通孔安装(THT),具有良好的机械强度和散热特性。其典型结电容在1MHz频率下为1700pF,这一参数对于需要考虑信号完整性的高速数据线路保护是一个重要的权衡因素,工程师需要根据被保护线路的带宽要求进行评估。作为一款通用型TVS二极管,其应用场景非常广泛,尤其适用于需要150V工作电压等级保护的领域,例如工业自动化控制系统中的I/O端口保护、通信设备(如基站、路由器)的电源接口防护、汽车电子中的负载突降保护,以及任何可能遭受雷击浪涌或开关噪声干扰的AC/DC电源输入级。用户可以通过ST授权代理获取该产品的完整技术资料、样品以及批量供货支持。

  • 型号:BZW50-150
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 150VWM 343VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):150V
  • 电压 - 击穿(最小值):166V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):343V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):175A(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:1700pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-150的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-150是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款高性能单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。该器件专为保护敏感电子设备免受高压瞬态脉冲(如浪涌和ESD)的损害而设计,其核心特性包括150V的反向断态电压和高达5000W的峰值脉冲功率处理能力。

在承受175A(8/20s)的极大峰值脉冲电流时,BZW50-150能将其箝位电压有效限制在343V以下,为后级电路提供可靠的过压保护。其通用的设计、轴向通孔封装以及强大的浪涌吸收性能,使其成为工业控制、通信设备和电源线路等应用中理想的保护解决方案。

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