STW48N60DM2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STW48N60DM2是一款采用先进MDmesh DM2技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，在单晶片上实现了超结（Super-Junction）特性，通过精心布局的电荷平衡技术，显著降低了单位面积下的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的乘积，即优值系数（FOM）。这一核心架构使其在高压开关应用中能够兼顾低导通损耗与高开关效率，是提升功率转换系统整体性能的关键元件。

在电气特性方面，STW48N60DM2具备600V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达40A的连续漏极电流（I_D）承载能力。其导通电阻在10V驱动电压、20A测试条件下典型值仅为79毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提高系统效率并减少散热需求。同时，器件拥有较低的栅极总电荷（Q_G典型值70nC @ 10V）和输入电容（C_iss），这有效降低了驱动电路的功率需求，并允许更高的开关频率运行，从而可以缩小磁性元件的体积。其栅源电压（V_GS）耐受范围为±25V，提供了稳健的驱动保护。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理获取此型号产品。

该MOSFET采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（T_J）可达150°C，配合300W（T_C）的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的长期工作可靠性。这些接口与参数特性使其能够轻松集成到现有的功率板卡设计中。

凭借其高压、大电流、低损耗及快速开关的优异组合，STW48N60DM2非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及电焊机等高性能功率转换设备。在这些系统中，它能够有效提升能效等级，并帮助实现更紧凑的整机设计。

• 型号:STW48N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 40A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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STW48N60DM2是ST意法半导体MDmesh DM2系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247封装。该器件核心优势在于其600V/40A的额定规格下，实现了极低的导通电阻（79mΩ @ 10V, 20A）与栅极电荷（70nC @ 10V），这使其在高压开关应用中兼具低传导损耗和高频开关性能。

其设计基于优化的超结技术，有效平衡了导通损耗与开关损耗的矛盾。高达300W（T_C）的功率耗散能力和150°C的最大结温，确保了其在严苛热环境下的稳定运行。这些特性使其成为提升工业电源、太阳能逆变器及电机驱动等系统效率与功率密度的理想选择。