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BZW50-22的图片

BZW50-22

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电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:TVS DIODE 22VWM 51VC R6
原厂封装:封装:R-6
优势价格,BZW50-22的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BZW50-22的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

作为一款来自ST意法半导体的高性能瞬态电压抑制二极管,BZW50-22隶属于广受认可的TRANSIL系列,其核心架构基于成熟的齐纳二极管技术。该器件采用单向通道设计,专门用于抑制正向的浪涌电压,其反向断态电压典型值为22V,最小击穿电压为24.4V,这为电路提供了一个明确的保护阈值。当瞬态过压事件发生时,它能迅速响应,将电压箝位在最高51V的水平,从而为核心电路元件筑起一道坚固的防线。

该芯片的功能特点突出体现在其强大的浪涌吸收能力上。它能够承受高达1177A(8/20s波形)的峰值脉冲电流,对应的峰值脉冲功率达到5000W,这使其在面对工业环境中常见的雷击感应、感性负载切换等产生的剧烈能量冲击时,表现出极高的可靠性。其高达5kW的峰值脉冲功率处理能力是其在同级别产品中的一个显著优势。对于需要稳定可靠保护的客户,通过专业的ST芯片代理可以获得完整的技术支持与原厂供货保障。

在接口与关键参数方面,BZW50-22采用经典的轴向通孔封装(R-6),便于在PCB板上进行可靠的焊接安装。其电容值在1MHz频率下为8500pF,这一特性需要在高速数据线路的应用中予以考量,以确保不影响信号完整性。该器件被归类为“通用”应用产品,状态为“有源”,意味着它是当前主流推荐且持续供应的型号,适用于广泛的工业和消费电子领域。

鉴于其优异的箝位性能和功率等级,该TVS二极管非常适合部署在需要 robust 保护的电源端口、直流电机驱动接口、继电器线圈以及各类AC/DC转换器的次级侧。它能够有效防护由静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)及其他瞬态过压事件对敏感集成电路造成的潜在损害,是提升系统电磁兼容性(EMC)和长期可靠性的关键组件之一。

  • 型号:BZW50-22
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:R-6
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器(TVS) > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 22VWM 51VC R6
  • 包装:剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压 - 反向断态(典型值):22V
  • 电压 - 击穿(最小值):24.4V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):51V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1177A(1.177kA)(8/20s)
  • 功率 - 峰值脉冲:5000W(5kW)
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:8500pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:R-6,轴向
  • 供应商器件封装:R-6
  • 想获取BZW50-22的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

BZW50-22是ST意法半导体TRANSIL系列中的一款单向瞬态电压抑制(TVS)二极管。其核心卖点在于强大的浪涌保护能力,能够在承受高达1.177kA(8/20s)峰值脉冲电流的同时,将电压箝位在最高51V,峰值脉冲功率处理能力达到5kW,为后级电路提供有效的过压防护。

该器件具有22V的反向断态电压,采用通孔轴向封装(R-6),适用于通用的电源线和I/O端口保护场景。其设计旨在抵御由雷击、感性负载切换等引起的瞬态过压事件,是提升电子系统可靠性和电磁兼容性的关键元件。

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