E-L6571BD013TR

E-L6571BD013TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用8引脚SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道功率MOSFET设计。该器件集成了两个独立的同步驱动通道，构成一个紧凑的半桥驱动核心，其高压侧驱动电路支持高达600V的自举电压，使其能够直接应用于高压开关拓扑中，有效简化了系统的高低压隔离设计。其内部集成的RC输入电路提供了良好的噪声抑制能力，增强了系统在复杂电磁环境下的鲁棒性。

该驱动器的供电电压范围设计为10V至16.6V，确保了在宽泛的电源条件下稳定工作。其输出级具备不对称的驱动能力，峰值拉电流为270mA，峰值灌电流为170mA，这种设计优化了功率开关管的导通与关断速度，有助于降低开关损耗并提升整体效率。器件的工作结温范围覆盖-40°C至150°C，使其能够胜任工业级和汽车级应用中对温度稳定性的严苛要求。作为一款表面贴装型器件，它非常适合高密度PCB布局，其卷带（TR）和剪切带（CT）包装形式也便于自动化生产。

在功能实现上，E-L6571BD013TR通过其半桥配置和同步驱动特性，能够精确控制上下桥臂的开关时序，有效防止直通电流，是构建电机驱动、开关电源以及不间断电源（UPS）系统中逆变环节的理想选择。其稳健的设计尤其适用于需要高可靠性和高效率的场合，例如工业变频器、家用电器中的电机控制单元以及各类功率转换模块。用户可通过授权的ST一级代理获取该产品的技术支持和供应链服务，以确保设计方案的顺利实施与量产。

• 型号:E-L6571BD013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:-
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
• 输入类型:RC 输入电路
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:-
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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E-L6571BD013TR是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化，集成了两个同步驱动通道，其高压侧支持高达600V的自举电压，适用于高压开关应用。

其核心特性包括10V至16.6V的宽供电范围、270mA/170mA（拉/灌）的峰值输出电流以及-40°C至150°C的宽工作结温范围。内置的RC输入电路增强了抗干扰能力。这些参数共同确保了其在电机驱动、电源转换等功率系统中实现高效、可靠的开关控制。