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TSZ122IYDT的图片

TSZ122IYDT

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集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
制造厂商:ST(意法半导体)
功能简述:IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8SOIC
原厂封装:封装:8-SOIC
优势价格,TSZ122IYDT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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TSZ122IYDT的功能参数资料 - ST公司(意法半导体)提供

ST意法半导体推出的TSZ122IYDT是一款采用零漂移架构的双通道运算放大器,其设计旨在为精密测量和信号调理应用提供卓越的直流精度与长期稳定性。该器件内部集成了先进的自动校准电路,通过周期性校正输入失调电压,有效消除了传统运算放大器中随时间、温度和电源电压变化而产生的漂移现象,从而实现了极低的初始失调电压和近乎为零的失调电压温漂。

该放大器具备多项关键特性以满足严苛的工业与汽车环境需求。其极低的输入失调电压(典型值1V)和输入偏置电流(典型值70pA)确保了在高阻抗传感器接口和精密电流检测应用中的信号保真度。同时,宽泛的电源电压范围(1.8V至5.5V,或±0.9V至±2.75V)使其能够兼容从单节锂电池到标准3.3V/5V的多种供电系统,而每通道仅31A的超低静态电流则显著延长了电池供电设备的运行时间。输出级采用满摆幅设计,能够在整个电源轨范围内驱动负载,最大化动态范围。

在电气参数方面,TSZ122IYDT提供了400kHz的增益带宽积和0.19V/s的压摆率,平衡了精度与响应速度,适用于中低频信号处理。其输出电流能力达到18mA,可直接驱动中小型负载或作为ADC的缓冲器。该器件符合AEC-Q100标准,工作温度范围覆盖-40°C至125°C,确保了在汽车电子和工业控制等恶劣环境下的可靠性与耐久性。封装采用标准的8引脚SOIC表面贴装形式,便于集成与生产。对于需要稳定供应和技术支持的客户,可以通过授权的ST中国代理获取产品与相关服务。

凭借其高精度、低功耗和宽压工作的特点,TSZ122IYDT非常适合应用于对直流精度要求极高的场景。典型应用包括热电偶、压力传感器、电子秤等工业传感器的信号调理与放大,以及汽车系统中的电池管理系统(BMS)电流检测、位置传感器接口。此外,在便携式医疗设备、测试与测量仪器以及需要长期稳定性的数据采集系统中,它也是一款理想的选择,能够有效提升系统的整体精度和可靠性。

  • 型号:TSZ122IYDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP ZERO-DRIFT 2 CIRC 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:零漂移
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:0.19V/s
  • 增益带宽积:400 kHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:70 pA
  • 电压 - 输入补偿:1 V
  • 电流 - 供电:31A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:18 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):1.8 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
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TSZ122IYDT是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q100标准的双通道零漂移运算放大器。该器件采用先进的零漂移架构,实现了极低的输入失调电压(1V)和输入偏置电流(70pA),为精密直流和低频信号处理提供了卓越的长期稳定性。

其核心优势在于宽电源电压范围(1.8V至5.5V)与超低功耗(每通道31A)的结合,并具备满摆幅输出能力。这些特性使其特别适用于由电池供电或对能效有严格要求的汽车及工业应用,如传感器接口、电流检测和便携式测量设备。

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